本發明涉及的氣體供給系統，包括：設置于向半導體制造裝置供給氣體的氣體供給通路的氣體過濾器；和設置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設位置更靠下游側的位置，使所述氣體供給流路內流通的氣體所包含的揮發性金屬成分液化并去除的金屬成分去除器。由此，在通過氣體供給流路向半導體制造裝置供給腐蝕性氣體時，防止通過氣體過濾器無法去除的揮發性金屬成分的混入。

1.一種氣體供給系統，其通過氣體供給流路向半導體制造裝置供
給預定的氣體，其特征在于，包括：
設置于所述氣體供給流路的氣體過濾器；和
設置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設位置更靠下
游側的位置，使所述氣體供給流路內流通的氣體所包含的揮發性金屬
成分液化并去除的金屬成分去除器。
2.如權利要求1所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述金屬成分去除器包括：構成所述氣體供給流路的一部分的氣
體流路；和使冷卻劑在該氣體流路的外側流通，從外側冷卻該氣體流
路的流路冷卻單元。
3.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述金屬成分去除器的流路冷卻單元，使所述冷卻劑在以卷繞所
述金屬成分去除器內的氣體流路的外側的方式設置的線圈狀冷卻劑流
路內流通。
4.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述金屬成分去除器內的氣體流路鉛直地配設，所述氣體供給流
路內流通的氣體，從所述氣體流路的下方的側部流入并從上方的側部
流出，并且所述氣體流路的下端開口，并與蓄液室連通。
5.如權利要求2所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述金屬成分去除器內的氣體流路，分成流入側流路和流出側流
路并分別鉛直地配設，
氣體從所述流入側流路的上方的側部流入，所述流入側流路的下
方與蓄液室連通，
所述流出側流路的下方與所述蓄液室連通，氣體從所述流出側流
路的上方的側部流出。
6.如權利要求5所述的氣體供給系統，其特征在于：
從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。
7.如權利要求6所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述腐蝕性氣體為HF氣體、F₂氣體、ClF₃的任一種或包含這些的
混合氣體。
8.一種半導體制造裝置的氣體供給系統，其通過氣體供給流路向
半導體制造裝置供給預定的氣體，其特征在于，包括：
設置于所述氣體供給流路的氣體過濾器；和
設置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設位置更靠上
游側，用于添加氣體的添加氣體供給單元，該氣體使在所述氣體供給
流路內流通的氣體所包含的揮發性金屬成分發生化學變化生成通過所
述氣體過濾器能夠捕捉的固體金屬化合物。
9.如權利要求8所述的氣體供給系統，其特征在于：
從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。
10.如權利要求9所述的氣體供給系統，其特征在于：
所述添加氣體為O₂氣體。