本發明提供一種多能干細胞的培養方法、該方法中所使用的多能干細胞的培養用試劑盒及培養基。本發明的多能干細胞的培養方法包含在支撐體的細胞培養表面賦予(a)具有由序列號1表示的氨基酸序列的多肽、(b)具有與由序列號1表示的氨基酸序列的同源性為80％以上的氨基酸序列且具有多能干細胞的培養性能的多肽、或(c)具有序列號1中缺失、取代或附加1或數個氨基酸的氨基酸序列且具有多能干細胞的培養性能的多肽，以獲得多肽包覆培養表面的階段及在所述多肽包覆培養表面上接種多能干細胞并使用抗壞血酸衍生物的含量為1.5mmol/L(mM)以上的培養基進行培養的階段。

1.一種多能干細胞的培養方法，其包含：在支撐體的細胞培養表面賦予下述(d)的多肽，以獲得多肽包覆培養表面的階段，及在所述多肽包覆培養表面上接種多能干細胞并使用抗壞血酸衍生物的含量為1.5mmol/L以上且100mmol/L以下的培養基進行培養的階段，其中，所述(d)的多肽包含：(1)包含選自由CSYYQSC即序列號2表示的氨基酸序列及由RGD表示的氨基酸序列中的至少一個的第1區域、及(2)包含(2-i)由PRPSLAKKQRFRHRNRKGYRSQRGHSRGRNQN即序列號3表示的氨基酸序列的第2區域，且由40個～250個氨基酸殘基構成。2.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽的第1區域包含由CSYYQSC即序列號2表示的氨基酸序列及由RGD表示的氨基酸序列兩者。3.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽的第1區域包含由序列號1所表示的氨基酸序列的第25個～第47個氨基酸殘基構成的氨基酸序列。4.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽的第1區域為(1-i)由序列號1所表示的氨基酸序列中的第1個～第55個氨基酸殘基構成的氨基酸序列。5.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽還包含由下述(3a-i)的氨基酸序列構成的第3區域：(3a-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第56個～第341個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。6.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽還包含由下述(3b-i)的氨基酸序列構成的第3區域：(3b-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第269個～第341個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。7.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽還包含由下述(4a-i)的氨基酸序列構成的第4區域：(4a-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第374個～第459個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。8.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽由80個～250個氨基酸殘基構成，且包含：(1)由下述氨基酸序列構成的第1區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第25個～第47個氨基酸殘基構成；(2)由下述氨基酸序列構成的第2區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第342個～第373個氨基酸殘基構成；以及選自以下的第3區域及第4區域中的至少一個：(3)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第3區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第269個～第341個氨基酸殘基構成；及(4)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第4區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第374個～第459個氨基酸殘基構成。9.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽由100個～250個氨基酸殘基構成，且包含：(1)由下述氨基酸序列構成的第1區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第1個～第55個氨基酸殘基構成；(2)由下述氨基酸序列構成的第2區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第342個～第373個氨基酸殘基構成；以及選自以下的第3區域及第4區域中的至少一個：(3)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第3區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第269個～第341個氨基酸殘基構成、及(4)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第4區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第374個～第459個氨基酸殘基構成。10.根據權利要求5或6所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽包含所述第3區域，第3區域在與由序列號1表示的氨基酸序列的半胱氨酸殘基對應的位置具有半胱氨酸殘基以外的氨基酸殘基。11.根據權利要求5或6所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽包含第3區域，所述第3區域在與由序列號1表示的氨基酸序列的半胱氨酸殘基對應的位置具有絲氨酸殘基、丙氨酸殘基或甘氨酸殘基。12.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽的所述第1區域位于所述第2區域的N末端側。13.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，由所述(d)的多肽的序列號2表示的氨基酸序列中的兩個半胱氨酸殘基兩者之間相互交聯。14.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽為(d1)具有由序列號4～序列號23、序列號38及序列號39中的任一個表示的氨基酸序列的多肽。15.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述(d)的多肽為(d4)由序列號4～序列號23、序列號38及序列號39中的任一個所表示的氨基酸序列構成的多肽。16.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述多能干細胞為選自胚胎干細胞、誘導型多能干細胞、成體干細胞、受精卵內細胞團細胞及早期胚細胞中的至少一種。17.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述多能干細胞為誘導型多能干細胞。18.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述抗壞血酸衍生物的含量為1.6mmol/L以上。19.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述抗壞血酸衍生物的含量為3.5mmol/L以下。20.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述抗壞血酸衍生物為選自抗壞血酸、抗壞血酸磷酸鎂、抗壞血酸磷酸鈉、氨基丙醇抗壞血酸磷酸酯、抗壞血酸硫酸二鈉及抗壞血酸2-磷酸酯中的一種或兩種以上的抗壞血酸衍生物。21.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，所述抗壞血酸衍生物為抗壞血酸磷酸鎂。22.一種多能干細胞的培養用試劑盒，其包含：下述(d)的多肽，以及抗壞血酸衍生物的含量為1.5mmol/L以上且100mmol/L以下的培養基，所述(d)的多肽包含：(1)包含選自由CSYYQSC即序列號2表示的氨基酸序列及由RGD表示的氨基酸序列中的至少一個的第1區域、及(2)包含(2-i)由PRPSLAKKQRFRHRNRKGYRSQRGHSRGRNQN即序列號3表示的氨基酸序列的第2區域，且由40個～250個氨基酸殘基構成。