本發(fā)明涉及一種熱處理裝置，能夠在同時(shí)對(duì)分別載置在多個(gè)基座上的基板進(jìn)行加熱時(shí)，控制各基板的面內(nèi)溫度的均勻性。該熱處理裝置包括：對(duì)多枚晶片實(shí)施規(guī)定處理的反應(yīng)管(104)；分別具有載置晶片的載置面的、由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的多個(gè)基座(112)；將各基座在與其載置面垂直的方向隔開間隔地排列并支撐在反應(yīng)管內(nèi)的、旋轉(zhuǎn)自由的石英舟(110)；在處理室的側(cè)壁上設(shè)置的、在與各基座的載置面平行的方向上形成交流磁場(chǎng)而對(duì)各基座進(jìn)行感應(yīng)加熱的由一對(duì)電磁鐵(120、130)構(gòu)成的磁場(chǎng)形成部；和對(duì)利用該磁場(chǎng)形成部形成的交流磁場(chǎng)加以控制的控制部(200)。

1.一種熱處理裝置，其特征在于，包括：
處理室，對(duì)多個(gè)基板實(shí)施規(guī)定的處理；
多個(gè)基座，其由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，并分別具有載置所述基板的載
置面；
基座支撐部，將所述各基座在與其載置面垂直的方向上隔開間隔
地排列并支撐在所述處理室內(nèi)，并旋轉(zhuǎn)自由；
磁場(chǎng)形成部，其包括：在具有兩個(gè)磁極的磁芯上纏繞有感應(yīng)線圈
的一對(duì)電磁鐵；和對(duì)各電磁鐵的感應(yīng)線圈獨(dú)立地施加交流電流的交流
電源，該磁場(chǎng)形成部設(shè)置在所述處理室的側(cè)壁上，在與所述各基座的
載置面平行的方向上形成交流磁場(chǎng)而對(duì)所述各基座進(jìn)行感應(yīng)加熱；和
控制部，控制所述交流電源。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述各電磁鐵分別設(shè)置在所述處理室的側(cè)壁中相對(duì)的一對(duì)側(cè)壁
上，一個(gè)的電磁鐵的兩個(gè)磁極面與另一個(gè)的電磁鐵的兩個(gè)磁極面分別
按照夾著所述各基座的周邊部而相對(duì)的方式分開配置，
所述控制部對(duì)所述交流電源進(jìn)行控制，由此獨(dú)立地控制施加到所
述各電磁鐵的感應(yīng)線圈上的交流電流。
3.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述各電磁鐵分別按照橫跨所述處理室的側(cè)壁中相對(duì)的一對(duì)側(cè)壁
的方式加以設(shè)置，
所述各電磁鐵的兩個(gè)磁極面分別按照夾著所述各基座的周邊部而
相對(duì)的方式分開配置，
所述控制部對(duì)所述交流電源進(jìn)行控制，由此獨(dú)立地控制施加到所
述各電磁鐵的感應(yīng)線圈上的交流電流。
4.如權(quán)利要求2或3所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述控制部，通過將對(duì)從所述各交流電源向所述一對(duì)電磁鐵供給
相同相位的交流電流的控制和對(duì)從所述各交流電源向所述一對(duì)電磁鐵
施加相反相位的交流電流的控制進(jìn)行切換，由此控制所述基座的面內(nèi)
的溫度分布。
5.如權(quán)利要求2或3所述的熱處理裝置，其特征在于：
沿著所述基座和所述基板的排列方向配置多段所述磁場(chǎng)形成部。
6.如權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述控制部對(duì)所述各磁場(chǎng)形成部的交流電源進(jìn)行獨(dú)立控制。
7.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述基座由石墨構(gòu)成，所述處理室的側(cè)壁由非鐵金屬材料構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求7所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述處理室的側(cè)壁由鋁構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求2或3所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述各電磁鐵的磁芯由陶瓷類材料構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求9所述的熱處理裝置，其特征在于：
所述各電磁鐵的磁芯由鐵素體類陶瓷構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于：
包括：
氣體供給部，向所述處理室內(nèi)供給處理氣體；和
排氣機(jī)構(gòu)，對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，其中
所述處理室實(shí)施對(duì)成膜有金屬膜的所述各基板進(jìn)行的熱處理或者
在所述各基板上形成金屬膜的熱處理。