本發明公開了一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長氣路及方法，該生長氣路包括：第一管路，第二管路，第三管路及與這三路管路相連的A、B雙腔室垂直氣流型MOCVD反應管噴頭裝置；生長方法是通過將銦、鎵、鋁、鎂分開輸運到不同生長區域的氣路設置，克服了傳統生長方法中將它們合并輸運到襯底表面所帶來的諸多不足，用全新的生長機理實現全系列x,y值的InGaAlN材料體系的快速生長，且生長的溫度與氣壓參數窗口變大，尤其能實現鎂的快速δ摻雜。

1.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長氣路，其特征在于：包括：第一管路，第二管路，第三管路及與這三路管路相連的A、B雙腔室垂直氣流型MOCVD反應管噴頭裝置，其中：A、B雙腔室垂直氣流型MOCVD反應管噴頭裝置又包括：一個由頂板、中間板、底板和圓桶形側板組成的封閉腔體，在頂板和中間板之間構成一個圓形腔，圓形腔由通過圓心的隔板分隔成兩個獨立的A腔和B腔，在中間板和底板之間構成一個水冷腔,若干個氣體噴射通道穿過中間板和底板將A腔、B腔與石墨盤所在的反應腔相連通，水冷腔與氣體噴射通道、A腔、B腔、反應腔均不相通；在石墨盤上放置有外延襯底，石墨盤繞中心軸旋轉，這樣外延襯底就交替暴露在從A腔和B腔噴出的氣體下面；石墨盤要加熱到MOCVD工藝所需的生長溫度，在水冷腔中通有冷卻水來降低底板的溫度；第一管路在反應管附近分成兩條支管路：第一支管路和第二支管路，第一支管路與第一節流小孔串接后再與A腔相通，第二支管路與第一閥、第二節流小孔串聯后再與B腔連通；第二管路在反應管附近分成兩條支管路：第三支管路和第四支管路，第三支管路與第三節流小孔串接后再與A腔相通，第四支管路與第二閥、第四節流小孔串聯后再與B腔連通；第三管路直接和B腔連通。2.根據權利要求1所述的MOCVD生長氣路，其特征在于：A腔、B腔的垂直凈空高度在10-50mm之間，水冷腔的垂直凈空高度在3-100mm之間，反應腔的垂直凈空高度在3-60mm之間。3.根據權利要求1所述的MOCVD生長氣路，其特征在于：所述氣體噴射通道為噴管、噴孔或噴縫。4.根據權利要求1所述的MOCVD生長氣路，其特征在于：生長氣壓在0.01MPa-10MPa，0.01MPa-0.1MPa為低氣壓生長，大于0.1MPa為高氣壓生長。5.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路輸運TMGa或三乙基鎵TEGa，第一閥關閉;第二管路輸運NH₃，第二閥打開;第三管路輸運TMIn;外延襯底在B腔的噴射下方生長InN,在A腔的噴射下方生長GaN,從而交替合成生長成InGaN材料。6.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路輸運TMGa或三乙基鎵TEGa，第一閥關閉；第二管路輸運NH₃，第二閥關閉;第三管路輸運TMAl及二茂鎂;外延襯底在B腔噴射下方鋪鋁及鎂,在A腔噴射下方生長GaN，氨化鋁成AlN,從而交替合成生長成鋁鎵氮摻鎂；石墨盤的溫度容許低至500℃。7.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路輸運TMGa或三乙基鎵TEGa，第一閥關閉,第二管路輸運NH₃，第二閥關閉;第三管路輸運二茂鎂;外延襯底在B腔噴射下方鋪鎂,在A腔噴射下方生長GaN,由于石墨盤旋轉，從而實現GaN的鎂δ摻雜。8.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路輸運TMGa或三乙基鎵TEGa及TMIn,第一閥關閉;第二管路輸運NH₃，第二閥關閉;第三管路輸運TMAl;外延襯底在B腔的噴射下方鋪鋁,在A腔的噴射下方生長InGaN,從而交替合成生長成銦鎵鋁氮四元材料。9.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路只通惰性氣體，惰性氣體為氫氣，氮氣或他們的混合物，第一閥開；第二管路輸運NH₃，第二閥關閉;第三管路輸運TMAl;外延襯底在B腔的噴射下方鋪鋁,在A腔的噴射下方氨化成AlN。10.一種銦鎵鋁氮材料組分及摻雜能自由組合的MOCVD生長方法，其特征在于：第一管路輸運TMGa或三乙基鎵TEGa，第一閥關閉；第二管路輸運NH₃及SiH₄，第二閥打開;第三管路輸運惰性氣體，惰性氣體為氮或氫氣;外延襯底在B腔的噴射下方用氨氣保護并進行δ摻硅,在A腔的噴射下方生長GaN并正常摻硅,由于石墨盤旋轉，從而實現GaN的交替δ摻硅及正常摻硅。