1.一種山葵脫毒苗的培養方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)切取山葵根莖上生長的芽體的芽尖部分，將其放在超凈工作臺上，
先用0.1％的升汞消毒2～5分鐘，再用無菌水清洗后，接種于促進芽尖快速
生長的培養基MS+KT0.5～1.5mg·L-1+NAA0.3～1.0mg·L-1中，在12～
20℃、每天光照6～12小時、光照強度為1000～1500lx的條件下進行培養；
(2)選取步驟(1)中培養的長度在1.0cm以上的無菌芽體，轉接入
MS+6-BA?1.0～3.0mg·L-1+IAA0.5～2.0mg·L-1+脯氨酸0.5～2％+活性炭
1～3％的培養基中，先在5℃的條件下培養15天，再放在培養箱中進行8～
15天的變溫處理，所述變溫處理是指在8～12℃的條件下培養19小時與在
30～45℃的條件下培養5小時交替進行；
(3)選取生長良好的芽體于解剖鏡下，用解剖針小心剝去芽體外面的
幼葉后，切取帶有1～4個葉原基的芽分生組織，接入叢生芽分化培養基
MS+6-BA1～3mg·L-1+KT0.1～0.5mg·L-1中，在15～22℃、每天光照10～
14小時、光照強度為1000～1500lx的條件下培養；
(4)選取生長的山葵叢生芽，將其分割為單株后轉入壯苗培養基MS+
NAA0.05～0.1mg·L-1+6-BA0.1～0.5mg·L-1+KT0.05～0.2mg·L-1中，在
10～18℃、每天光照10～16小時、光照強度為1000～1500lx的條件下培養；
(5)選取生長健壯的山葵無根苗接入生根培養基White+NAA0.1～1.0
mg·L-1中，在15～22℃、每天光照6～10小時、光照強度為800～1000lx
的條件下誘導生根；
(6)當無根苗長出3～4條以上不定根時，打開瓶蓋，在室內煉苗2～4
天后，將其從培養瓶中取出，用無菌水洗去不定根上的培養基后，移栽至
消毒后的土壤中生長。
2.根據權利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養方法，其特征在于：
步驟(1)中所述芽體的芽尖部分是指芽體上部長度為0.2～0.5cm的芽尖
部分。
3.根據權利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養方法，其特征在于：
步驟(6)中所述土壤是由蛭石和全營養土按2:1配制而成，消毒是指先采
用0.1％多菌靈消毒6～10小時，再用0.1％高錳酸鉀消毒12～24小時。
4.根據權利要求1所述的一種山葵脫毒苗的培養方法，其特征在于：
步驟(6)中煉苗的培養條件為溫度15～20℃和相對濕度80％～95％，移栽
后的培養條件為培養溫度12～20℃、相對濕度為70～80％、每天光照4～
10小時和光照強度為800～1200lx。
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