1.一種半導體探針，其是通過在支持體上依次層疊以下而構成的：
導電性電極；
由金屬氧化物半導體制成的金屬氧化物半導體層；和
向其中充入電能的充電層。
2.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述充電層是覆蓋有絕緣材料的n-型金屬
氧化物半導體。
3.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述充電層是n-型金屬氧化物半導體，所
述n-型金屬氧化物半導體覆蓋有絕緣材料，并且通過紫外線照射發生光致激發結構變化以
在帶隙中形成能級，從而捕獲電子。
4.根據權利要求2所述的半導體探針，其中，所述n-型金屬氧化物半導體是二氧化鈦、
氧化錫和氧化鋅中的一種；或通過組合二氧化鈦、氧化錫和氧化鋅中的兩種或三種而制成
的復合材料。
5.根據權利要求2所述的半導體探針，其中，覆蓋所述n-型金屬氧化物半導體的絕緣材
料是絕緣樹脂或無機絕緣材料。
6.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述金屬氧化物半導體是p-型半導體。
7.根據權利要求6所述的半導體探針，其中，所述p-型半導體是氧化鎳或氧化銅/氧化
鋁。
8.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述金屬氧化物半導體是n-型半導體。
9.根據權利要求8所述的半導體探針，其中，所述n-型半導體是二氧化鈦、氧化錫和氧
化鋅中的一種；或通過組合二氧化鈦、氧化錫和氧化鋅中的兩種或三種而制成的復合材料。
10.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述電極是導電性金屬。
11.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述支持體的至少一部分為彈性體。
12.根據權利要求1所述的半導體探針，其中，所述支持體為圓柱形狀。
13.根據權利要求12所述的半導體探針，其中，圓柱形狀的所述支持體配置有接地電極
部。
14.一種充/放電特性測試裝置，包括：
根據權利要求1所述的半導體探針；
待測量的目標物；
進行充/放電的充/放電電流源；以及
在充/放電時對待測量的目標物的電壓進行測量的電壓計。
15.根據權利要求14所述的測試裝置，其中，在待測量的目標物中，導電性基電極或基
電極和n-型金屬氧化物半導體層層疊在基板上。
16.根據權利要求14所述的測試裝置，其中，在待測量的目標物中，基電極或基電極和
n-型金屬氧化物半導體層疊在基板上，并且在其上進一步層疊由覆蓋有絕緣材料的n-型金
屬氧化物半導體構成的充電層。
17.根據權利要求16所述的測試裝置，其中，在待測量的目標物中的充電層由與所述半
導體探針中的充電層的材料相同的材料制成，并且具有n-型金屬氧化物半導體，所述n-型
金屬氧化物半導體覆蓋有絕緣材料且通過紫外線照射發生光致激發結構變化以在帶隙中
形成能級。
18.根據權利要求14所述的測試裝置，其中，所述半導體探針以覆蓋待測量的目標物的
全部表面的方式與所述目標物緊密接觸。
19.根據權利要求14所述的測試裝置，其中，所述半導體探針以覆蓋待測量的多個目標
物的全部表面的方式與所述多個目標物緊密接觸，從而能夠同時測量所述多個目標物。
20.根據權利要求14所述的測試裝置，其中，所述半導體探針以覆蓋待測量的目標物的
一部分的方式與所述待測量物接觸。
21.根據權利要求20所述的測試裝置，其中，所述半導體探針具有圓柱形狀的支持體，
并且在待測量的目標物的表面上轉動時評價充/放電特性。
22.根據權利要求21所述的測試裝置，其中，使用各自具有圓柱形狀的支持體的兩個半
導體探針，所述半導體探針之一評價待測量的目標物的充電特性，而所述半導體探針的另
一探針評估待測量的目標物的放電特性。
23.一種使用半導體探針的充/放電特性測試方法，所述方法包括：
準備半導體探針、待測量的目標物、進行充/放電的充/放電電流源和電壓計，其中，所
述半導體探針是通過在支持體上依次層疊導電性電極、由金屬氧化物半導體制成的金屬氧
化物半導體層、和向其中充入電能的充電層而構成的，所述電壓計在充/放電時對待測量的
目標物的電壓進行測量；以及
使所述半導體探針與待測量的目標物接觸；通過充/放電電流源進行充/放電；以及通
過所述電壓計對待測量的目標物的電壓進行測量。
24.一種使用半導體探針的充/放電特性測試方法，所述方法包括：
準備半導體探針、待測量的目標物、在對待測量的目標物充電時進行充電的電壓電源、
在從待測量的目標物放電時進行放電的電阻器、和在充/放電時對待測量的目標物的電流
進行測量的安培計，其中所述半導體探針是通過在支持體上依次層疊導電性電極、由金屬
氧化物半導體制成的金屬氧化物半導體層、和向其中充入電能的充電層而構成的；以及
使所述半導體探針與待測量的目標物接觸；并且在充電時，通過電壓電源充電，并且通
過安培計對待測量的目標物的電流進行測量，以及在放電時，將電壓電源切換至所述電阻
器，通過安培計對待測量的目標物的電流進行測量。
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