本發明涉及一種納米技術領域的無損傷原位構建納米結點的方法，步驟為：對單壁碳納米管進行純化；用旋涂的方法將單壁碳納米管沉積到硅基底上，加熱后除去有機表面活性劑；采用原子力顯微鏡探針，蘸取金屬前軀體后，在輕敲模式對分散在基底上的納米管的成像，選擇焊接區域并記錄圖像，縮小掃描范圍，將中心定在需要焊接處，打開負抬高模式，使探針同時在兩種模式下運作，選擇負抬高模式操作時間控制納米結點的尺寸，操縱完畢后關閉抬高模式，擴大掃描范圍，在輕敲模式下對所焊的納米結合點進行成像并記錄，掃描和操縱均是同一根探針。本發明具有納米結點尺寸可控，定位準確、無損傷和無污染等特點。

1.一種無損傷原位構建納米結點的方法，其特征在于，包括以下步驟：第一步、將單壁碳納米管放入十二烷基苯磺酸鈉的水溶液超聲分散；第二步、用旋涂的方法將單壁碳納米管沉積到硅基底上，加熱后除去十二烷基苯磺酸鈉；第三步，采用原子力顯微鏡探針，蘸取焊錫后，在輕敲模式對分散在硅基底上的單壁碳納米管的成像，選擇焊接區域并記錄圖像，縮小掃描范圍，將中心定在需要焊接處，打開負抬高模式，使探針同時在兩種模式下運作，根據要焊接處的尺寸選擇負抬高模式操作時間控制納米結點的尺寸，操縱完畢后關閉抬高模式，擴大掃描范圍，在輕敲模式下對所焊的納米結合點進行成像并記錄，掃描和操縱均是同一根探針；所述的單壁碳納米管、十二烷基苯磺酸鈉和水的質量比是1∶10∶0.1～1000，其中的單壁碳納米管為：碳管純度為30％單壁碳納米管，先經質量含量65％的濃硝酸在120℃下回流10小時，過濾、洗滌至中性。2.根據權利要求1所述的無損傷原位構建納米結點的方法，其特征是，所述第二步，具體為：將第一步得到的溶液旋涂在硅基底上，勻膠時間30秒，轉速為2000轉/秒，單壁碳納米管隨機地的散布在硅基底表面，自然干燥后，二次水沖洗，氮氣吹干后，轉移到管式爐中在氧氣存在的條件下180～250℃燒結0.5小時，除去十二烷基苯磺酸鈉。3.根據權利要求1所述的無損傷原位構建納米結點的方法，其特征是，所述打開負抬高模式，其范圍是-10～-200nm。