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一種PCB的制作方法和PCB

  • 專利類型:發明專利
  • 有效期:不限
  • 發布日期:2021-09-28
  • 技術成熟度:已有樣品
交易價格: ¥面議
  • 法律狀態核實
  • 簽署交易協議
  • 代辦官方過戶
  • 交易成功

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  • 技術(專利)類型 發明專利
  • 申請號/專利號 CN201810751368.X 
  • 技術(專利)名稱 一種PCB的制作方法和PCB 
  • 項目單位 生益電子股份有限公司
  • 發明人 肖璐,紀成光,王洪府,趙剛俊,吳泓宇,杜紅兵 
  • 行業類別 其他領域
  • 技術成熟度 已有樣品
  • 交易價格 ¥面議
  • 聯系人 李昕軒
  • 發布時間 2021-09-28  
  • 01

    項目簡介

    本發明公開了一種PCB的制作方法和PCB,涉及印制線路板技術領域。該制作方法包括步驟:在第一基板的導電粘結區域制作金屬化通孔;去除一部分金屬化通孔靠近導電粘結區域一端的孔壁金屬層,獲得部分金屬化孔;采用絕緣材料填充所述部分金屬化孔;通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域。本發明先將通孔金屬化再用導電粘結材料壓合金屬塊,既實現了孔與金屬塊的導通,又避免了制作大孔徑盲孔導致的孔密度減低、控深鉆鉆頭損耗等問題;同時,對一部分金屬化通孔去除部分孔壁金屬層,使金屬塊的區域里同時包含孔壁金屬化的導通孔和非導通孔,可在保證孔密度的情況下滿足更多的設計需求。
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  • 02

    說明書

    1.一種PCB的制作方法,其特征在于,包括:在第一基板的導電粘結區域制作金屬化通孔;去除一部分金屬化通孔靠近導電粘結區域一端的孔壁金屬層,獲得部分金屬化孔;采用絕緣材料填充所述部分金屬化孔;通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域;其中,導電粘結區域為粘結金屬塊的區域。2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,去除一部分金屬化通孔靠近導電粘結區域一端的孔壁金屬層,包括:通過背鉆或蝕刻的方式,去除至少一部分通孔靠近導電粘結區域一端的孔壁金屬層。3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域之前,還包括:提供第二基板和第一半固化片;在所述第二基板和所述第一半固化片上對應所述導電粘結區域的位置,根據金屬塊的尺寸開設通槽;相應的,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域,包括:在所述導電粘結區域或所述金屬塊的粘接面覆上導電粘結材料;將所述第一基板、所述第一半固化片和所述第二基板按順序疊合;將所述金屬塊嵌入所述通槽,壓合,其中,所述金屬塊的粘接面朝向所述第一基板。4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域之前,還包括:提供墊板,墊板的厚度等于金屬塊的厚度加上導電粘結材料的厚度;在所述墊板上對應所述導電粘結區域的位置,根據金屬塊的尺寸開設通槽;相應的,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域,包括:在所述導電粘結區域或所述金屬塊的粘接面覆上導電粘結材料;將所述第一基板與所述墊板固定;將所述金屬塊嵌入所述通槽,所述金屬塊的粘接面朝向所述第一基板;壓合后撤去所述墊板。5.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域之前,還包括:提供第二半固化片,第二半固化片的厚度等于導電粘結材料的厚度;在所述第二半固化片上對應所述導電粘結區域的位置開設通槽;相應的,通過導電粘結材料將金屬塊粘結在所述導電粘結區域,包括:在所述導電粘結區域或所述金屬塊的粘接面上對應所述導電粘結區域的部分覆上導電粘結材料;將所述第一基板、所述第二半固化片和所述金屬塊按順序疊合,壓合;其中,所述金屬塊的粘接面朝向所述第一基板,所述粘接面的尺寸大于或等于所述導電粘結區域的尺寸。6.根據權利要求3至5任一項所述的制作方法,其特征在于,覆上導電粘結材料,包括:粘貼導電膠片或者絲印導電漿。7.根據權利要求6任一項所述的制作方法,其特征在于,覆上導電粘結材料,還包括:根據避讓點在導電膠片上開設讓位槽后粘貼;或者根據避讓點設計絲印圖形,按照絲印圖形絲印導電漿。8.一種PCB,其特征在于,采用權利要求1至7任一項所述的制作方法制得,包括:第一基板和金屬塊;所述第一基板的導電粘結區域和金屬塊通過導電粘結材料粘結;所述第一基板的導電粘結區域包括金屬化孔和部分金屬化孔;所述金屬化孔與所述金屬塊導通,所述部分金屬化孔與所述金屬塊絕緣;其中,導電粘結區域為粘結金屬塊的區域。9.根據權利要求8所述的PCB,其特征在于,還包括:第二基板;所述第二基板上對應所述導電粘結區域開設有通槽,所述金屬塊嵌入所述通槽中;所述第一基板和所述第二基板通過半固化片粘結。10.根據權利要求8所述的PCB,其特征在于:所述第一基板的非導電粘結區域通過半固化片與所述金屬塊粘結。
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專利技術附圖

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