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具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件

  • 專利類(lèi)型:發(fā)明專利
  • 有效期:不限
  • 發(fā)布日期:2022-01-16
  • 技術(shù)成熟度:詳情咨詢
交易價(jià)格: ¥面議
  • 法律狀態(tài)核實(shí)
  • 簽署交易協(xié)議
  • 代辦官方過(guò)戶
  • 交易成功

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  • 技術(shù)(專利)類(lèi)型 發(fā)明專利
  • 申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào) CN201611132240.2 
  • 技術(shù)(專利)名稱 具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件 
  • 項(xiàng)目單位 林慧敏
  • 發(fā)明人 吳文湖,陳建武,賴錫標(biāo),林慧敏 
  • 行業(yè)類(lèi)別 其他領(lǐng)域
  • 技術(shù)成熟度 詳情咨詢
  • 交易價(jià)格 ¥面議
  • 聯(lián)系人 李秋爽
  • 發(fā)布時(shí)間 2022-01-16  
  • 01

    項(xiàng)目簡(jiǎn)介

    本發(fā)明公開(kāi)了一種具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其于一下導(dǎo)板的頂面水平向間隔設(shè)置至少兩個(gè)覆晶,該兩個(gè)覆晶底面分別與下導(dǎo)板電性連接,頂面分別設(shè)置有一導(dǎo)電層,且兩個(gè)覆晶之間以及外周?chē)畛溆薪^緣物質(zhì),使兩個(gè)覆晶頂面的導(dǎo)電層彼此隔離而形成供外部電路電連接的第一電極及第二電極;通過(guò)上述結(jié)構(gòu),兩個(gè)覆晶之間形成一串聯(lián)回路,相較于傳統(tǒng)多個(gè)芯片只能垂直向堆棧串聯(lián)的封裝方式,不但能降低二極管元件的高度,還能夠根據(jù)耐壓需求很方便地?cái)U(kuò)充覆晶數(shù)量,適合一般整流/保護(hù)型二極管元件,特別是高壓二極管元件的覆晶封裝。
    展開(kāi)
  • 02

    說(shuō)明書(shū)

    1.一種具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其于一下導(dǎo)板的頂面水平向間隔設(shè)置至少一第一覆晶以及一第二覆晶,其特征在于:該第一覆晶及第二覆晶頂面分別設(shè)置有一導(dǎo)電層,該第一覆晶及第二覆晶分別為單向?qū)ā⒌酌鏋椴煌瑯O向的單向覆晶,并且分別垂直向下堆棧設(shè)置有一個(gè)層迭覆晶,或分別垂直向下堆棧設(shè)置多個(gè)彼此之間相鄰的電氣連接面為不同極向的層迭覆晶;位于該第一覆晶與第二覆晶底面的兩個(gè)層迭覆晶分別與該第一覆晶及第二覆晶彼此之間的電氣連接面為不同極向,位于下導(dǎo)板上方的兩個(gè)層迭覆晶底面分別以不同極向與該下導(dǎo)板電性連接;該第一覆晶及第二覆晶的外周?chē)约氨舜酥g填充有絕緣物質(zhì),使第一覆晶及第二覆晶頂面的導(dǎo)電層彼此隔離;該第一覆晶及第二覆晶頂面的導(dǎo)電層分別設(shè)置一錫臺(tái)或金屬層并裸露在絕緣物質(zhì)外部,以做為供外部電路電連接的第一電極及第二電極;以及依序由該第一電極通過(guò)第一覆晶、一個(gè)或多個(gè)層迭覆晶、下導(dǎo)板、一個(gè)或多個(gè)層迭覆晶、第二覆晶到第二電極的電氣傳輸路徑為串聯(lián)回路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其特征在于,所述第一覆晶與第二覆晶以水平向間隔設(shè)置有一第三覆晶及一第四覆晶,且該下導(dǎo)板截?cái)喾蛛x為一第一下導(dǎo)板與一第二下導(dǎo)板,其特征在于:該第三覆晶與第一覆晶彼此之間以不同極向排列,且該第三覆晶與第一覆晶底面分別與該第一下導(dǎo)板電性連接;該第四覆晶與第二覆晶彼此之間以不同極向排列,且該第四覆晶與第二覆晶底面分別與該第二下導(dǎo)板電性連接;該第三覆晶與第四覆晶彼此之間以不同極向排列,且第三覆晶與第四覆晶的頂面之間跨接有一上導(dǎo)板;以及依序由該第一電極通過(guò)第一覆晶、第一下導(dǎo)板、第三覆晶、上導(dǎo)板、第四覆晶、第二下導(dǎo)板、第二覆晶到第二電極的電氣傳輸路徑為串聯(lián)回路。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其特征在于,該第一覆晶、第二覆晶、第三覆晶及第四覆晶分別以垂直層迭的方式設(shè)置多個(gè),且該層迭的多個(gè)第一覆晶、第二覆晶、第三覆晶及第四覆晶分別在彼此之間相鄰的電氣連接面為不同極向;其中該第一下導(dǎo)板分別與底層第三覆晶及底層第一覆晶底面電性連接;第二下導(dǎo)板分別與底層第四覆晶及底層第二覆晶底面電性連接,上導(dǎo)板跨接于頂層第三覆晶與頂層第四覆晶的頂面之間。4.一種具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其于一下導(dǎo)板的頂面水平向間隔設(shè)置至少一第一覆晶以及一第二覆晶,其特征在于:該第一覆晶及第二覆晶底面分別與該下導(dǎo)板電性連接,該第一覆晶及第二覆晶頂面分別設(shè)置有一導(dǎo)電層,所述該第一覆晶及第二覆晶分別為雙向?qū)ǖ碾p向覆晶,且該第一覆晶及第二覆晶的底面為相同極向;該第一覆晶及第二覆晶的外周?chē)约氨舜酥g填充有絕緣物質(zhì),使第一覆晶及第二覆晶頂面的導(dǎo)電層彼此隔離;該第一覆晶及第二覆晶頂面的導(dǎo)電層分別設(shè)置一錫臺(tái)或金屬層并裸露在絕緣物質(zhì)外部,以做為供外部電路電連接的第一電極及第二電極;以及依序由該第一電極通過(guò)第一覆晶、下導(dǎo)板、第二覆晶到第二電極的電氣傳輸路徑為串聯(lián)回路。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其特征在于,所述該第一覆晶及第二覆晶底面分別垂直向下堆棧設(shè)置有一個(gè)層迭覆晶,或分別垂直向下堆棧設(shè)置多個(gè)彼此之間相鄰的電氣連接面為相同極向的層迭覆晶,其特征在于:位于該第一覆晶與第二覆晶底面的兩個(gè)層迭覆晶分別與該第一覆晶及第二覆晶彼此之間的電氣連接面為相同極向,位于下導(dǎo)板上方的兩個(gè)層迭覆晶底面分別以相同極向與該下導(dǎo)板電性連接;以及依序由該第一電極通過(guò)第一覆晶、一個(gè)或多個(gè)層迭覆晶、下導(dǎo)板、一個(gè)或多個(gè)層迭覆晶、第二覆晶到第二電極的電氣傳輸路徑為串聯(lián)回路。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其特征在于,所述第一覆晶與第二覆晶以水平向并排間隔設(shè)置有一第三覆晶及一第四覆晶,且該下導(dǎo)板截?cái)喾蛛x為一第一下導(dǎo)板與一第二下導(dǎo)板,其特征在于:該第三覆晶與第一覆晶彼此之間以相同極向排列,且該第三覆晶與第一覆晶底面分別與該第一下導(dǎo)板電性連接;該第四覆晶與第二覆晶彼此之間以相同極向排列,且該第四覆晶與第二覆晶底面分別與該第二下導(dǎo)板電性連接;該第三覆晶與第四覆晶彼此之間以相同極向排列,且第三覆晶與第四覆晶的頂面之間跨接有一上導(dǎo)板;以及依序由該第一電極通過(guò)第一覆晶、第一下導(dǎo)板、第三覆晶、上導(dǎo)板、第四覆晶、第二下導(dǎo)板、第二覆晶到第二電極的電氣傳輸路徑為串聯(lián)回路。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有多個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的覆晶封裝二極管元件,其特征在于,該第一覆晶、第二覆晶、第三覆晶及第四覆晶分別以垂直層迭的方式設(shè)置多個(gè),且該層迭的多個(gè)第一覆晶、第二覆晶、第三覆晶及第四覆晶分別在彼此之間相鄰的電氣連接面為相同極向;其中該第一下導(dǎo)板分別與底層第三覆晶及底層第一覆晶底面電性連接;第二下導(dǎo)板分別與底層第四覆晶及底層第二覆晶底面電性連接,上導(dǎo)板跨接于頂層第三覆晶與頂層第四覆晶的頂面之間。
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