本發(fā)明提供了一種鋰離子印跡雜化膜的制備方法及其用途，制備如下：步驟1、制備聚偏氟乙烯/氧化石墨烯雜化膜；步驟2、制備聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺雜化膜；步驟3、制備鋰離子印跡雜化膜；本發(fā)明采用離子印跡技術(shù)制備具有特異性識(shí)別的印跡雜化膜材料，在其他競(jìng)爭(zhēng)離子存在下能有效的識(shí)別并吸附鋰離子。

1.一種鋰離子印跡雜化膜的制備方法，其特征在于，步驟如下：步驟1、將氧化石墨烯與聚偏氟乙烯粉末溶解于N-甲基吡咯烷酮中，機(jī)械攪拌混勻、靜置，制得聚偏氟乙烯/氧化石墨烯雜化膜，記為PVDF/GO雜化膜，并將膜保存于去離子水或蒸餾水中；步驟2、配制Tris-HCl溶液，加入多巴胺并混合均勻，得到混合溶液，取PVDF/GO雜化膜浸沒(méi)在混合溶液中，室溫條件下振蕩，反應(yīng)完后，將產(chǎn)物取出，洗滌，烘干，得到聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺雜化膜，記為PVDF/GO@pDA雜化膜；步驟3、將12-冠4、LiCl均勻分散到乙醇中，加入乙烯基三乙氧基硅烷，磁力攪拌均勻后，加入四硅酸乙酯、氨水及去離子水，得到混合液，將步驟2中的PVDF/GO@pDA雜化膜浸入到混合液中，磁力攪拌沉淀聚合后，將膜取出，洗滌，烘干，將制得的膜酸洗，得到鋰離子印跡雜化膜；步驟3中，制備混合液時(shí)，所使用的12-冠-4-醚、LiCl、乙醇、乙烯基三乙氧基硅烷、四硅酸乙酯、氨水、去離子水的用量比為0.05g：0.05g：30mL：0.2mL：0.5mL：0.3~0.5mL：3~5mL，所述磁力攪拌沉淀聚合的溫度為30℃，時(shí)間為16h。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋰離子印跡雜化膜的制備方法，其特征在于，步驟1中、所述氧化石墨烯、聚偏氟乙烯、N-甲基吡咯烷酮的用量比為0.1~0.3g：1~3g：30mL；所述機(jī)械攪拌的溫度為50℃，機(jī)械攪拌的時(shí)間為12h；所述靜置的溫度為50℃，靜置的時(shí)間為12h。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋰離子印跡雜化膜的制備方法，其特征在于，步驟2中，所述Tris-HCl溶液的濃度為10mM，所述多巴胺在混合溶液中的濃度為1~2mg/mL；所述混合溶液pH為8.5；所述振蕩反應(yīng)的時(shí)間為12h。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋰離子印跡雜化膜的制備方法，其特征在于，步驟3中，所述酸洗為用1mol/L HCl溶液酸洗。5.權(quán)利要求1~4任意一項(xiàng)所述的方法制備的鋰離子印跡雜化膜用于吸附鋰離子的用途。