1.一種用于控制至少一個基片(9)的表面溫度的方法，所述基片安放于
在CVD-反應器的工藝過程腔室(12)中嵌入基片保持器承載件(1)的支承凹槽
(20)中的、由氣流形成的動態氣墊(8)所承載的基片保持器(2)上，其中，向所
述基片(9)的熱量輸送至少部分通過經由所述氣墊的熱傳導進行，其中，在所
述基片的表面上的多個位置處測量所述基片的溫度，并且，為減小這些溫度
與平均值的差距，如此地改變所述氣墊的熱傳遞特性，使得形成所述支承凹
槽(20)的底面和所述基片保持器(2)的下側之間的所述氣墊(8)的氣流由兩種
或多種具有不同大小的比導熱率的氣體(17，18)形成，其中，組分根據所測得
的溫度改變，其中，這樣地選擇所述基片保持器(2)的導熱率并且這樣地構造
所述基片保持器(2)的下側以及所述支承凹槽(20)的底面，使得所述基片的表
面溫度在僅使用兩種氣體(17，18)的一種時具有旋轉對稱的側向不均勻性，該
不均勻性通過改變所述氣流的組分得到補償或過補償。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變氣體組分如此地影
響所述基片保持器(2)的表面上的側向溫度分布，使得所述基片表面上的溫度
在整個基片表面上恒定。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在僅使用一種強導熱的
氣體時，所述基片保持器(2)的中央區域較邊緣區域熱。
4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在僅使用一種弱導熱的
氣體時，所述基片保持器(2)的中央區域較邊緣區域冷。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變個別控制的、多個
為基片保持器承載件(1)配設的基片保持器(2)的單個的、產生所述氣墊(8)的
氣流如此地調節所述氣墊(8)的高度，使得測得的平均值處于預定的溫度窗口
內。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片保持器由氣流旋轉
驅動。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片保持器承載件(1)
被圍繞一中心軸線旋轉驅動。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溫度測量通過一工藝過
程腔室蓋(10)的孔(11)進行。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片表面溫度在整個處
理過程中被測量，并且形成所述動態氣墊(8)的氣流的組分在處理過程中作為
所述基片溫度在徑向上測得的溫度分布的函數變化。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用一基片保持器(2)，其
導熱特性在軸向不同和/或熱輻射特性在不同的徑向位置不同。
11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述動態氣墊(8)在邊緣的
高度小于在中央的高度。
12.一種用于實施按照權利要求1至11中任一項所述方法的裝置，其具
有工藝過程腔室(12)，設置在該工藝過程腔室內的基片保持器承載件(1)，至
少一個基片保持器(2)，用于加熱所述基片保持器承載件(1)的加熱器，用于
測量至少一個安放在所述基片保持器(2)上的基片(9)分別在所述基片表面
上相互不同的位置處的表面溫度的光學溫度測量裝置(3)，以及用于輸送形成
所述基片保持器(2)的下側和所述基片保持器承載件(1)的支承凹槽(20)的底
面之間的動態氣墊(8)的氣體輸送管(6)，所述基片保持器(2)固定在所述支承
凹槽中，帶有為所述氣體輸送管(6)配設的氣體混和裝置(15，16，17，18)，在所
述氣體混和裝置中，由弱導熱氣體和強導熱氣體組成的氣流的組分可根據由
所述溫度測量裝置(3)獲得的所述基片溫度的徑向溫度曲線調節，其中，所述
基片保持器(2)具有如此的導熱率，并且所述基片保持器(2)的下側以及所述
支承凹槽(20)的底面具有如此的結構，使得安放于所述基片保持器(2)上的所
述基片(9)的表面溫度在僅使用兩種氣體中的一種時具有旋轉對稱的側向不
均勻性，該不均勻性可通過改變所述氣流的組分補償或過補償。
13.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述支承凹槽(20)的底面
(21)具有一旋轉對稱的不平度。
14.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述支承凹槽(20)的底面
(21)具有隆起。
15.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述基片保持器(2)的與
所述支承凹槽(20)的底部(21)對置的下側具有旋轉對稱的與平面不同的結
構。
16.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述基片保持器(2)的與
所述支承凹槽(20)的底部(21)對置的下側具有隆起。
17.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述基片保持器(2)在中
間比在邊緣薄。
18.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述基片(9)插入所述基
片保持器(2)的上側的由邊緣凸起(23)形成的凹槽(22)中。
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