1.一種排氣處理系統，包括：
微粒物質(PM)過濾器，其從排氣過濾微粒物質，并且包括N個
區，其中，N個區中的每個區包括接收一部分排氣的入口面積，N是大
于1的整數；
第一發熱元件，其包括接觸面積，該接觸面積加熱輸入到N個區
的第一區的入口面積的排氣；和
第二發熱元件，其包括第二接觸面積，該第二接觸面積加熱輸入
到N個區的第二區的入口面積的排氣；
其中所述N個區中除所述第一區的其他區圍繞所述第一區布置；
其中，第一發熱元件的接觸面積與第一區的入口面積的第一比率
大于第二發熱元件的接觸面積與第二區的入口面積的第二比率；和
加熱器控制模塊，其基于所述第一比率和第二比率以比率值降低
的順序啟動所述第一發熱元件和第二發熱元件。
2.如權利要求1所述的排氣處理系統，還包括：
第三發熱元件，其包括加熱輸入到N個區的第三區的入口面積的
排氣的接觸面積，
其中第二發熱元件的接觸面積與第二區的入口面積的第二比率大
于第三發熱元件的接觸面積與第三區的入口面積的第三比率。
3.如權利要求1所述的排氣處理系統，其中第一發熱元件的接觸
面積大于第二發熱元件的接觸面積。
4.如權利要求1所述的排氣處理系統，其中第二區的入口面積大
于第一區的入口面積。
5.如權利要求1所述的排氣處理系統，其中第一發熱元件和第二
發熱元件中的每一個是盤管式加熱器、格柵加熱器、箔片加熱器和厚
膜加熱器中的一種。
6.如權利要求1所述的排氣處理系統，第一發熱元件的接觸面積
具有在平行于排氣流動方向的方向上延伸的第一深度，第二發熱元件
的接觸面積具有在平行于所述排氣流動方向的方向上延伸的第二深
度，其中第一深度大于第二深度。
7.如權利要求1所述的排氣處理系統，其中第一發熱元件的接觸
面積具有第一長度，第二發熱元件的接觸面積具有第二長度，其中第
一長度大于第二長度。
8.如權利要求1所述的排氣處理系統，其中所述加熱器控制模塊
啟動第一發熱元件工作直到N個區中的第一區中的微粒物質開始燃
燒，并且啟動第二發熱元件工作直到N個區中的第二區中的微粒物質
開始燃燒。
9.如權利要求8所述的排氣處理系統，其中在N個區中的第一區
再生完成后，加熱器控制模塊啟動第二發熱元件。
10.如權利要求8所述的排氣處理系統，其中加熱器控制模塊通過
施加預定水平的能量來啟動第一發熱元件和第二發熱元件中的每一
個。
11.一種操作排氣處理系統的方法，包括：
提供微粒物質(PM)過濾器，其過濾來自排氣中的微粒物質且包
括N個區，其中，所述N個區中的每個區包括接收一部分排氣的入口
面積，N是大于1的整數；
啟動第一發熱元件，該第一發熱元件包括接觸面積，該接觸面積
將輸入到N個區中的第一區的入口面積的排氣加熱，直到第一區中的
微粒物質燃燒；
啟動第二發熱元件，該第二發熱元件包括第二接觸面積，該第二
接觸面積將輸入到N個區中的第二區的入口面積的排氣加熱，直到第
二區中的微粒物質燃燒；
其中所述N個區中除所述第一區的其他區圍繞所述第一區布置；
其中第一發熱元件的接觸面積與第一區的入口面積的第一比率大
于第二發熱元件的接觸面積與第二區的入口面積的第二比率；和
基于所述第一比率和第二比率以比率值降低的順序啟動所述第一
發熱元件和第二發熱元件。
12.如權利要求11所述的方法，還包括：
啟動第三發熱元件，該第三發熱元件包括接觸面積，該接觸面積
將輸入到N個區的第三區的入口面積的排氣加熱，直到第三區中的微
粒物質燃燒，
其中，第二發熱元件的第二接觸面積與第二區的入口面積的第二
比率大于第三發熱元件的接觸面積與第三區的入口面積的第三比率。
13.如權利要求11所述的方法，其中第一發熱元件的接觸面積大
于第二發熱元件的接觸面積。
14.如權利要求11所述的方法，其中第二區的入口面積大于第一
區的入口面積。
15.如權利要求11所述的方法，其中第一發熱元件和第二發熱元
件中的每一個是盤管式加熱器、格柵加熱器、箔片加熱器和厚膜加熱
器中的一種。
16.如權利要求11所述的方法，其中第一發熱元件的接觸面積具
有在平行于排氣流動方向的方向上延伸的第一深度，第二發熱元件的
接觸面積具有在平行于所述排氣流動方向的方向上延伸的第二深度，
其中第一深度大于第二深度。
17.如權利要求11所述的方法，其中第一發熱元件的接觸面積具
有第一長度，第二發熱元件的接觸面積具有第二長度，其中第一長度
大于第二長度。
18.如權利要求11所述的方法，還包括在第一區的再生完成后啟
動第二發熱元件。
19.如權利要求11所述的方法，還包括通過施加預定水平的能量
來啟動第一發熱元件和第二發熱元件中的每一個。
20.如權利要求11所述的方法，還包括啟動與N個區相對應的多
個發熱元件，其中每個發熱元件具有發熱元件的接觸面積與N個區中
的一個相應區的入口面積的比率，其中，以從具有最大比率的發熱元
件到具有最小比率的發熱元件的順序一次一個地啟動發熱元件。
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