用于從等離子束中過(guò)濾大粒子的過(guò)濾器，該過(guò)濾器包括用于運(yùn)送等離子束的彎曲管道，彎曲管道包括中間部分，中間部分的一端連接至具有設(shè)置于入口平面上的縱向軸線的入口部分并且另一相對(duì)端連接至具有設(shè)置于出口平面上的縱向軸線的出口部分，入口部分允許包含大粒子的等離子束以入射方向朝向中間部分行進(jìn)，出口部分允許等離子束從中間部分以出射方向行進(jìn)，中間部分被配置為使入射方向以超過(guò)90°的角度偏離至出射方向，以便當(dāng)?shù)入x子束穿過(guò)中間部分時(shí)從等離子束中移除大粒子，其中入口平面與出口平面被設(shè)置為彼此成偏移角。

1.用于從等離子束中過(guò)濾大粒子的過(guò)濾器，所述過(guò)濾器包括用于運(yùn)
送所述等離子束的彎曲管道，所述彎曲管道包括中間部分，所述中間部
分的一端連接至具有設(shè)置在入口平面上的縱向軸線的入口部分并且另一
相對(duì)端連接至具有設(shè)置在出口平面上的縱向軸線的出口部分，所述入口
部分允許包含大粒子的所述等離子束以入射方向朝向所述中間部分行
進(jìn)，所述出口部分允許所述等離子束從所述中間部分以出射方向行進(jìn)，
所述中間部分被配置為使所述入射方向以超過(guò)90°的角度偏離至所述出
射方向，以便當(dāng)所述等離子束穿過(guò)所述中間部分時(shí)從所述等離子束中移
除大粒子，其中所述入口平面與所述出口平面被設(shè)置為彼此成偏移角，
所述入口部分包括上游部分，所述上游部分的一端連接至所述中間
部分以用于將所述等離子束從電弧源傳送至所述中間部分，
所述上游部分被配置為使等離子束的方向從所述電弧源以小于90°
的角偏離至所述中間部分的所述入射方向，
所述上游部分被配置為阻止已被所述中間部分過(guò)濾的至少一些大粒
子返回到所述電弧源中，
所述出口部分還包括下游部分，所述下游部分的一端連接至所述中
間部分以用于將所述等離子束從所述中間部分傳送至基底，
所述下游部分被配置為使所述等離子束的方向從所述出射方向以小
于90°的角度偏離至朝向所述基底的方向，
所述下游部分被配置為對(duì)還未被所述中間部分過(guò)濾的至少一些剩余
大粒子進(jìn)一步過(guò)濾，并從而阻止所述至少一些大粒子向下傳遞到所述基
底。
2.如權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器，其中所述入口平面與所述出口平面
之間的所述偏移角大于20°。
3.如權(quán)利要求2所述的過(guò)濾器，其中所述入口平面與所述出口平面
之間的所述偏移角在20°至60°之間。
4.如權(quán)利要求3所述的過(guò)濾器，其中所述入口平面與所述出口平面
之間的所述偏移角在30°到45°之間。
5.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的過(guò)濾器，其中所述中間部分被配
置為使所述入射方向以從大于90°到小于180°的角度偏離至所述出射方
向。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的過(guò)濾器，其中所述入口部分與
所述出口部分處于相同的平面。
7.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的過(guò)濾器，其中所述中間部分包
括第一延伸部分以用于允許大粒子沿所述入射方向行進(jìn)到所述延伸部
分。
8.如權(quán)利要求7所述的過(guò)濾器，其中所述第一延伸部分的縱向軸線
基本平行于所述入口部分的縱向軸線。
9.如權(quán)利要求8所述的過(guò)濾器，其中所述中間部分還包括第二延伸
部分，所述第二延伸部分的縱向軸線基本平行于所述出口部分的縱向軸
線。
10.用于涂覆基底的電弧沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括：
電弧源，用于產(chǎn)生等離子束；
過(guò)濾器，用于從等離子束中過(guò)濾大粒子，所述過(guò)濾器包括用于運(yùn)送
所述等離子束的彎曲管道，所述彎曲管道包括中間部分，所述中間部分
的一端連接至具有設(shè)置在入口平面上的縱向軸線的入口部分并且另一相
對(duì)端連接至具有設(shè)置在出口平面上的縱向軸線的出口部分，所述入口部
分允許包含大粒子的所述等離子束以入射方向朝向所述中間部分行進(jìn)，
所述出口部分允許所述等離子束從所述中間部分以出射方向行進(jìn)，所述
中間部分被配置為使所述入射方向以超過(guò)90°的角度偏離至所述出射方
向，以便當(dāng)所述等離子束穿過(guò)所述中間部分時(shí)從所述等離子束中移除大
粒子，其中所述入口平面與所述出口平面被設(shè)置為彼此成偏移角；以及
磁場(chǎng)源，用于提供磁場(chǎng)以將所述等離子束從所述入射方向轉(zhuǎn)向至所
述出射方向，
所述入口部分包括上游部分，所述上游部分的一端連接至所述中間
部分以用于將所述等離子束從電弧源傳送至所述中間部分，
所述上游部分被配置為使來(lái)自所述電弧源的等離子束的方向以小于
90°的角偏離所述中間部分的所述入射方向，
所述上游部分被配置為阻止已被所述中間部分過(guò)濾的至少一些大粒
子返回到所述電弧源中，
所述彎曲管道還包括下游部分，所述下游部分一端連接至所述出口
部分以用于將所述等離子束從所述出口部分傳送至基底，
所述下游部分被配置為使所述等離子束的方向從所述出射方向以小
于90°的角度偏離至朝向所述基底的方向，
所述下游部分被配置為對(duì)還未被所述中間部分過(guò)濾的至少一些剩余
大粒子進(jìn)一步過(guò)濾，并從而阻止所述至少一些大粒子向下傳遞到所述基
底。
11.如權(quán)利要求10所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述入口平面與所述
出口平面之間的所述偏移角大于20°。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述中間部分被
配置為使所述入射方向以從大于90°到小于180°的角偏離至所述出射方
向。
13.如權(quán)利要求10或11所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述入口部分與
所述出口部分處于相同的平面。
14.如權(quán)利要求10所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述中間部分包括第
一延伸部分以用于允許大粒子沿所述入射方向行進(jìn)到所述延伸部分。
15.如權(quán)利要求14所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述第一延伸部分的
縱向軸線基本平行于所述入口部分的縱向軸線。
16.如權(quán)利要求14或15所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述中間部分還
包括第二延伸部分，所述第二延伸部分的縱向軸線基本平行于所述出口
部分的縱向軸線。
17.如權(quán)利要求10所述的電弧沉積設(shè)備，其中所述上游部分、入口
部分、中間部分、出口部分和下游部分形成用于允許所述等離子束從所
述電弧源行進(jìn)到所述基底的連續(xù)路徑。
18.一種如權(quán)利要求1所述過(guò)濾器用于從等離子束中移除大粒子的
方法，所述方法包括以下步驟：
產(chǎn)生其內(nèi)包含大粒子的等離子束；
將其內(nèi)包含有大粒子的所述等離子束傳送穿過(guò)用于從等離子束中過(guò)
濾大粒子的過(guò)濾器，所述過(guò)濾器包括用于運(yùn)送所述等離子束的彎曲管道，
所述彎曲管道包括中間部分，所述中間部分的一端連接至具有設(shè)置在入
口平面上的縱向軸線的入口部分并且另一相對(duì)端連接至具有設(shè)置在出口
平面上的縱向軸線的出口部分，所述入口部分允許包含大粒子的所述等
離子束以入射方向朝向所述中間部分行進(jìn)，所述出口部分允許所述等離
子束從所述中間部分以出射方向行進(jìn)，所述中間部分被配置為使所述入
射方向以超過(guò)90°的角度偏離至所述出射方向，以便當(dāng)所述等離子束穿
過(guò)所述中間部分時(shí)從所述等離子束中移除大粒子，其中所述入口平面與
所述出口平面被設(shè)置為彼此成偏移角；以及
對(duì)所述等離子束施加磁場(chǎng)以將所述等離子束從所述入射方向轉(zhuǎn)向至
所述出射方向，以使所述出口部分中的大粒子的量與所述入口部分中的
大粒子的量相比較更少。
19.一種如權(quán)利要求1所述過(guò)濾器用于涂層的方法，產(chǎn)生每平方厘米
涂層具有少于2個(gè)直徑為0.2微米或大于0.2微米的大粒子的涂層，所述
方法包括以下步驟：
生成其內(nèi)包含有大粒子的等離子束；
將其內(nèi)包含有大粒子的所述等離子束傳送穿過(guò)用于從等離子束中過(guò)
濾大粒子的過(guò)濾器，所述過(guò)濾器包括用于運(yùn)送所述等離子束的彎曲管道，
所述彎曲管道包括中間部分，所述中間部分的一端連接至具有設(shè)置在入
口平面上的縱向軸線的入口部分并且另一相對(duì)端連接至具有設(shè)置在出口
平面上的縱向軸線的出口部分，所述入口部分允許包含大粒子的所述等
離子束以入射方向朝向所述中間部分行進(jìn)，所述出口部分允許所述等離
子束從所述中間部分以出射方向行進(jìn)，所述中間部分被配置為使所述入
射方向以超過(guò)90°的角度偏離至所述出射方向，以便當(dāng)所述等離子束穿過(guò)
所述中間部分時(shí)從所述等離子束中移除大粒子，其中所述入口平面與所
述出口平面被設(shè)置為彼此成偏移角；
對(duì)所述等離子束施加磁場(chǎng)以將所述等離子束從所述入射方向轉(zhuǎn)向至
所述出射方向，以使所述出口部分中的大粒子的量與所述入口部分中的
大粒子的量相比較更少；以及
通過(guò)以所述出射方向行進(jìn)的等離子束涂覆基底以產(chǎn)生每平方厘米涂
層中具有少于2個(gè)直徑為0.2微米或大于0.2微米的大粒子的涂層。