本發(fā)明公開了一種摻雜發(fā)光氮化鋁薄膜及其制備方法。該方法包括步驟：制備鑲嵌靶材，并裝在磁過濾電弧鍍靶上；對基體進行表面化學(xué)清洗；將基體裝入電弧離子鍍膜機中，抽本底真空度至小于3.0×10Pa；加偏壓-800V；開啟彎曲弧磁過濾器和磁過濾電弧鍍靶，對基體進行氬弧等離子轟擊清洗；保持磁過濾管電流、電弧靶電流和占空比，將偏壓調(diào)控在-100～-400V，通入氮氣，鍍膜30～90min；鍍膜結(jié)束后，關(guān)掉磁過濾電弧鍍靶和彎曲弧磁過濾器，取出樣品，得到摻雜發(fā)光氮化鋁薄膜。制備過程中樣品溫度不超過180℃，沉積后也不需要進行擴散熱處理。制備工藝簡單，易于操作，在鍍膜過程中可采用電氣和機械自動控制。

1.一種低溫?fù)诫s發(fā)光氮化鋁薄膜的制備方法，其特征在于包括以下操作步
驟：
(1)將摻雜材料機械鑲嵌在純鋁靶材上，制得鑲嵌靶材；并將鑲嵌靶材裝
在磁過濾電弧鍍靶上；所述摻雜材料為鉻、銅或錳；
(2)對基體進行表面化學(xué)清洗；所述基體為單晶硅、石英或玻璃；
(3)將基體裝入電弧離子鍍膜機中，基體位于距離彎曲弧磁過濾器的彎管
出口中軸線向外60～100mm，距離彎管出口下方60～80mm的位置，抽本底真
空至小于3.0×10^-3Pa；基體加偏壓-800V～-1000V；開啟彎曲弧磁過濾器，
調(diào)整彎曲弧磁過濾器控制電源，調(diào)整磁過濾管電流為3.0～4.6A，啟動磁過濾電
弧鍍靶，調(diào)整電弧靶電流為60～80A，電壓為18～22V，占空比15～25％；向真
空室通入高純氬35～45sccm，對基體進行氬弧等離子轟擊清洗，清洗時間為5～
15min；
(4)保持步驟(3)所述磁過濾管電流、電弧靶電流和占空比，將偏壓調(diào)
控在-100～-400V；降低高純氬流量至10～25sccm，同時通入氮氣，氮氣流量
為60～70sccm；開始沉積氮化鋁薄膜，沉積時間為30～90min，在沉積90min
后基體溫度小于200℃；
(5)鍍膜結(jié)束后，關(guān)掉磁過濾電弧鍍靶和彎曲弧磁過濾器，并關(guān)閉高純氬
和氮氣，升高真空室真空度至3.0～5.0×10^-3Pa，待基體溫度冷卻至室溫時取出
基體，得到摻雜發(fā)光氮化鋁薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?fù)诫s發(fā)光氮化鋁薄膜的制備方法，其特
征在于：步驟(1)所述鑲嵌靶材的制備按以下操作步驟：在直徑為100mm，高
為45mm的圓柱形純鋁靶面上，采用機械加工的方式每隔120°半徑方向上距靶
面中心25mm處加工出三個直徑為14.0～15.0mm，深度為18～25mm的盲孔，
然后在真空中將摻雜材料棒鑲嵌在盲孔中，孔軸為過盈配合，最后對鑲嵌好的
靶材進行去應(yīng)力退火處理，并機械加工以保證靶面的平整度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?fù)诫s發(fā)光氮化鋁薄膜的制備方法，其特
征在于：步驟(2)所述化學(xué)清洗方法是在酒精超聲波清洗10～15min后，烘干。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫?fù)诫s發(fā)光氮化鋁薄膜的制備方法，其特
征在于：步驟(3)所述抽本底真空過程中將主加熱溫度設(shè)置在180℃～250℃，
進一步脫去水分，減少鍍膜室內(nèi)氧分壓。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述方法制備的低溫?fù)诫s發(fā)光氮化鋁薄
膜。