一種低能電子衍射(LEED)檢測(cè)模塊(100)，其包括：第一真空室，該第一真空室用于從樣本(109)接收衍射電子；較大的第二真空室，該較大的第二真空室連接到第一真空室以接收已經(jīng)通過(guò)第一真空室傳輸?shù)难苌潆娮樱欢S電子檢測(cè)器，該二維電子檢測(cè)器設(shè)置在第二真空室中以檢測(cè)衍射電子；電位屏蔽件(106)，該電位屏蔽件(106)總體上沿著第一真空室的內(nèi)表面和第二真空室的內(nèi)表面設(shè)置；磁透鏡(105)，該磁透鏡(105)擴(kuò)展已經(jīng)通過(guò)第一真空室朝向二維電子檢測(cè)器傳輸?shù)难苌潆娮邮灰约翱傮w上平面形的能量過(guò)濾器(103)，該總體上平面形的能量過(guò)濾器(103)排斥具有比撞擊在樣本(109)上的探測(cè)電子束(203)能量低的電子。

1.一種低能電子衍射LEED檢測(cè)模塊，該LEED檢測(cè)模塊包括：
第一真空室，該第一真空室在一個(gè)端部具有用于從利用探測(cè)電子束照射的樣本接收衍
射電子的孔；
第二真空室，該第二真空室在其一個(gè)端部連接到所述第一真空室，以接收已經(jīng)通過(guò)所
述第一真空室傳輸?shù)乃鲅苌潆娮樱龅诙婵帐以诖怪庇谒鲅苌潆娮拥男羞M(jìn)方向的
方向上的尺寸大于所述第一真空室的相應(yīng)尺寸；
二維電子檢測(cè)器，該二維電子檢測(cè)器設(shè)置在所述第二真空室中、在所述第二真空室的
與連接到所述第一真空室的所述一個(gè)端部相反的端部處，以檢測(cè)所述衍射電子；
電位屏蔽件，該電位屏蔽件由總體上沿著所述第一真空室的內(nèi)表面和所述第二真空室
的內(nèi)表面設(shè)置的導(dǎo)電材料制成，所述電位屏蔽件被構(gòu)造成被施加第一加速電壓，以使來(lái)自
所述樣本的所述衍射電子加速和匯聚；
磁透鏡，該磁透鏡設(shè)置成與所述第一真空室連接到所述第二真空室的位置相鄰，以擴(kuò)
展已經(jīng)通過(guò)所述第一真空室朝向所述二維電子檢測(cè)器傳輸?shù)乃鲅苌潆娮拥氖缓?br/>總體上平面形的能量過(guò)濾器，該能量過(guò)濾器排斥具有比撞擊在所述樣本上的所述探測(cè)
電子束能量低的電子，所述能量過(guò)濾器被設(shè)置成相對(duì)于所述電位屏蔽件具有間隙，并被構(gòu)
造成被施加第二加速電壓，以使經(jīng)所述磁透鏡擴(kuò)展的所述衍射電子的束準(zhǔn)直。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述能量過(guò)濾器包括多個(gè)彼此平行且與
所述衍射電子的行進(jìn)方向垂直設(shè)置的篩網(wǎng)柵格。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述二維電子檢測(cè)器包括涂覆有熒光體
和導(dǎo)電層的玻璃窗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述能量過(guò)濾器包括：彼此平行且與所
述衍射電子的行進(jìn)方向垂直設(shè)置的三個(gè)篩網(wǎng)柵格，并且其中，在所述三個(gè)篩網(wǎng)柵格當(dāng)中，最
靠近所述第一真空室的第一柵格和最遠(yuǎn)的第三柵格被構(gòu)造成被施加所述第二加速電壓，且
中間柵格被構(gòu)造成被施加偏置電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述二維電子檢測(cè)器包括：玻璃窗，該玻
璃窗涂覆有要與所述衍射電子反應(yīng)的熒光體；和導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層被構(gòu)造成被施加所述第
二加速電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LEED檢測(cè)模塊，所述LEED檢測(cè)模塊還包括攝像頭，所述攝像頭
捕獲由涂覆在接收所述衍射電子的所述玻璃窗上的所述熒光體產(chǎn)生的圖像。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述攝像頭是CCD攝像頭。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述二維電子檢測(cè)器包括CCD攝像頭、
CMOS攝像頭、和CCD電子直接檢測(cè)器中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，所述LEED檢測(cè)模塊還包括位于所述第一真空
室中的附加磁透鏡，該附加磁透鏡使在所述第一真空室中行進(jìn)的所述衍射電子的束匯聚或
準(zhǔn)直。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，其中，所述第一真空室和所述第二真空室兩
者總體上是圓柱形狀，且所述第二真空室的直徑大于所述第一真空室的直徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊，該LEED檢測(cè)模塊還包括在所述二維電子檢測(cè)
器前面的微通道板以提高敏感度。
12.一種具有低能電子衍射LEED檢測(cè)能力的掃描電子顯微鏡SEM，該掃描電子顯微鏡包
括：
根據(jù)權(quán)利要求1所述的LEED檢測(cè)模塊；
SEM室，該SEM室容納用于保持所述樣本的樣本臺(tái)，所述SEM室具有開放凸緣，權(quán)利要求1
所述的LEED檢測(cè)模塊被插入該開放凸緣；和
SEM電子槍，該SEM電子槍朝向所述樣本發(fā)射適合于SEM分析的探測(cè)電子束，
其中，所述樣本臺(tái)能夠旋轉(zhuǎn)以取得固定位置，使得所述探測(cè)電子束相對(duì)于所述樣本的
表面的入射角和所述LEED檢測(cè)模塊的所述第一真空室相對(duì)于所述樣本的表面取向的角度
能夠相等。