本發(fā)明涉及一種無(wú)機(jī)鹽摻雜納米氧化鋅薄膜的制備方法，具體包括如下步聚：首先配置先驅(qū)體溶液，鋅源為硝酸鋅或氯化鋅，無(wú)機(jī)鹽為氯化鈉或硝酸鈉，在鋅鹽溶液中滴加一定量的無(wú)機(jī)鹽；然后將先軀體溶液轉(zhuǎn)入三電極體系，其中以導(dǎo)電襯底作為工作電極，鉑電極作為輔助電極，飽和甘汞電極作為參比電極，沉積溫度25-50℃，沉積時(shí)間5-20min，沉積電位-0.9V~-1.5V；最后進(jìn)行后處理，將產(chǎn)物沖洗、干燥、500℃煅燒1h。本發(fā)明方法操作簡(jiǎn)單，成本低，制備的產(chǎn)品為白色，六方晶系鉛鋅礦結(jié)構(gòu)。

1.一種無(wú)機(jī)鹽摻雜納米氧化鋅薄膜的制備方法，按照下述步驟進(jìn)行：首先配制含鋅的先驅(qū)體溶液，然后摻入無(wú)機(jī)鹽配成電解液，隨后進(jìn)行電化學(xué)沉積，最后將沉積物退火處理即得納米氧化鋅薄膜；其中配制電解液的步驟為，室溫下在50ml鋅鹽溶液中加入無(wú)機(jī)鹽，攪拌均勻后放置待用，所述的鋅鹽與無(wú)機(jī)鹽的摩爾比為（0.05-0.1）：（0.05-0.1），所述的鋅鹽溶液的摩爾濃度為0.05～0.1mol·L^-1，所述的無(wú)機(jī)鹽濃度為0.05-0.1mol·L^-1；其中所述的電化學(xué)沉積是將上述的電解液轉(zhuǎn)入三電極體系中進(jìn)行沉積，其中所述的三電極體系是以導(dǎo)電襯底作為工作電極，鉑電極作為輔助電極，飽和甘汞電極作為參比電極，沉積溫度25～50℃，沉積時(shí)間5～20min，沉積電位-0.9～-1.5V；其中將沉積物退火處理是將經(jīng)電化學(xué)沉積所得的產(chǎn)物用去離子水沖洗、干燥，置于馬弗爐中于500℃煅燒1h，冷卻至室溫。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)鹽摻雜納米氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于：所述的導(dǎo)電襯底為ITO導(dǎo)電玻璃，所述的沉積電位為-1.1V，沉積時(shí)間為10min。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)鹽摻雜納米氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于：所述的鋅鹽為硝酸鋅或氯化鋅。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)鹽摻雜納米氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于：所述的無(wú)機(jī)鹽為氯化鈉或硝酸鈉。