本發明公開了一種快速制備半導體材料納米帶的方法，首先將Al粉末研磨至50nm~1000nm，將研磨好的粉末放置在反應管內，然后將干燥過的氮氣吹入反應管中，再對反應管進行加熱，在700~1200℃下Al就會和氮氣反應，在原位收集生成物就得到大量氮化鋁納米帶。本發明首次用氮氣取代氨氣做源生成氮化鋁的納米結構，而且反應時間短，溫度低，成本少，對壞境沒有污染。該納米結構因為其特殊的形貌而具有更廣泛的用途。通過和商用氮化鋁的比較發現本發明所制作的納米材料有很強的紫外陰極射線發光。本發明是一種具有極大經濟價值和使用價值的納米材料的制備方法，市場前景廣闊。

1.一種制備半導體材料納米帶結構氮化鋁的方法，其特征在于它包括以下步驟：A)將鋁粉研磨至顆粒直徑在50納米和1微米之間；B)將研磨好的粉末放置在反應管內，通入干燥的氮氣；通入的氮氣流量在20sccm到300sccm之間C)對反應管進行加熱，使氮氣和鋁粉產生的蒸汽進行反應；D)反應后，則在放原材料的地方生成大量的氮化鋁納米帶。2.根據權利要求1所述的制備半導體材料納米帶結構氮化鋁的方法，其特征是：步驟B)中的反應管是耐高溫的石英管或剛玉管。3.根據權利要求1所述的制備半導體材料納米帶結構氮化鋁的方法，其特征是：步驟B)中干燥氮氣所用的氣體干燥劑是濃硫酸或氧化鈣或硫酸鈣。4.根據權利要求1所述的制備半導體材料納米帶結構氮化鋁的方法，其特征是：步驟C)中，用加熱裝置對反應管進行加熱，加熱溫度為700～1200℃，加熱時間為30分鐘到5個小時。5.根據權利要求1所述的制備半導體材料納米帶結構氮化鋁的方法，其特征是：步驟D)中得到的氮化鋁納米帶頂端寬度為10nm，下端寬度為100～200nm，長度為5～7微米。