本發(fā)明公開了一種提高楓香組培繼代增殖效果的方法及培養(yǎng)基，該法選擇楓香優(yōu)良單株進(jìn)行伐樁或者環(huán)割促萌，采集萌芽條，先經(jīng)特定設(shè)計的初代誘導(dǎo)培養(yǎng)基誘導(dǎo)產(chǎn)生初始芽，然后采用2種不同的剪切方式接入特定設(shè)計的2種不同的繼代增殖培養(yǎng)基培養(yǎng)。應(yīng)用本發(fā)明可在短期內(nèi)獲得大量繼代增殖材料，顯著提高了楓香組培繼代增殖效果，縮短繼代芽增殖周期，降低了褐化率，從而降低楓香組培產(chǎn)業(yè)化育苗中的生產(chǎn)成本。此外，由于外植體采自楓香優(yōu)良單株，其組培苗保持了母本優(yōu)良的遺傳性狀，使楓香種苗達(dá)到良種化和無性系化，具有較高的經(jīng)濟(jì)效益、社會效益和生態(tài)效益。

1.一種提高楓香組培繼代芽增殖效果的方法，其特征在于：包括初始芽誘導(dǎo)培養(yǎng)、繼代增殖培養(yǎng)基配制和繼代芽增殖培養(yǎng)；主要操作步驟如下：（1）初始芽誘導(dǎo)培養(yǎng)：選擇楓香實生林內(nèi)株型好，變色穩(wěn)定，變色效果好，無病蟲害的優(yōu)良單株，前一年進(jìn)行伐樁或者環(huán)割促萌，采集萌芽條作為外植體，經(jīng)常規(guī)消毒處理后接種到初代誘導(dǎo)培養(yǎng)基上誘導(dǎo)初始芽；（2）繼代增殖培養(yǎng)基：配制2種繼代增殖培養(yǎng)基進(jìn)行繼代增殖培養(yǎng)，繼代增殖培養(yǎng)基①采用改良B5+BA 1.0~2.0 mg·L^-1+NAA 0.10~0.18 mg·L^-1+PVP 3.0~6.0g·L^-1+蔗糖30g·L^-1+瓊脂4.5 g·L^-1；繼代增殖培養(yǎng)基②采用改良B5+KT 2.0~3.0 mg·L^-1+NAA 0.01~0.1 mg·L^-1+IBA 0.2~0.5 mg·L^-1+PVP 3.0~6.0 g·L^-1+蔗糖30 g·L^-1+瓊脂4.5 g·L^-1，在干凈的環(huán)境中，按照以上所述繼代增殖培養(yǎng)基分別配置好后，持續(xù)煮沸10 min，調(diào)節(jié)pH值至5.9~6.0，分裝到培養(yǎng)瓶中，121 ℃高壓滅菌20 min；（3）繼代芽增殖培養(yǎng)：待初始芽長度≥1.0 cm時，將初始芽較大的葉片剪掉，在莖節(jié)的部位切碎后接入繼代增殖培養(yǎng)基①中培養(yǎng)，培養(yǎng)20~25 d后長出愈傷組織并分化出繼代芽，將高度≤0.5cm小繼代芽切碎接入繼代增殖培養(yǎng)基①中培養(yǎng)，同時將切光繼代芽后的愈傷組織切割成1 cm×1 cm小塊接入繼代增殖培養(yǎng)基②中培養(yǎng)，愈傷組織進(jìn)一步生長，20~25 d后分化出高達(dá)1.5 cm 以上有效繼代芽；步驟（1）所述初代誘導(dǎo)培養(yǎng)基為改良B5+6-BA 2.5 mg·L^-1+NAA 0.5 mg·L^-1+蔗糖30g·L^-1+瓊脂4.5 g·L^-1；所述改良B5培養(yǎng)基組成為： KNO₃ 1300 mg?L^-1 NH₄NO₃ 1650 mg?L^-1 (NH₄)₂SO₄ 134 mg?L^-1 CaCl₂·2H₂O 150 mg?L^-1 MgSO₄·7H₂O 200 mg?L^-1 MnSO₄·6 H₂O 10 mg?L^-1 ZnSO₄·7 H₂O 2 mg?L^-1 CuSO₄·5 H₂O 0.025 mg?L^-1 H₃BO₃ 3 mg?L^-1 Na₂MoO₄·2 H₂O 0.25 mg?L^-1 KI 0.75 mg?L^-1 CoCl₂·6 H₂O 0.025 mg?L^-1 鹽酸硫胺素 10 mg?L^-1 鹽酸吡哆醇 1 mg?L^-1 煙酸 1 mg?L^-1 肌醇 100 mg?L^-1 肌醇 100 mg?L^-1 Na₂Fe-EDTA 28 mg?L^-1 。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高楓香組培繼代芽增殖效果的方法，其特征在于：所述步驟（1）的外植體是采集當(dāng)年生，長至30~40 cm的萌芽條。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高楓香組培繼代芽增殖效果的方法，其特征在于：步驟（3）所述初始芽的莖節(jié)切碎接入繼代增殖培養(yǎng)基時要確保芽體橫臥平攤在培養(yǎng)基上不重疊，芽體部分壓入到培養(yǎng)基中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高楓香組培繼代芽增殖效果的方法，其特征在于：步驟（3）所述接入2種繼代增殖培養(yǎng)基后的培養(yǎng)條件為：在接入后的前5 d內(nèi)采用24~26 ℃暗培養(yǎng)，接入后第6 d起采用26～28 ℃，1500～2500 LX，每天光照12～14 h的光培養(yǎng)。