本發明公開一種石斛育苗方法，該方法包括：a、將帶節的石斛莖段在培養基中培養，誘導腋芽；b、待腋芽生長高度超過1cm時，將芽點切除，誘導叢生芽；c、待眾生芽生長達到1cm～2cm時，切割叢生芽，叢生芽進行增值及生根培養，并將切割完叢生芽的原莖段繼續在培養基中培養，誘導愈傷組織；d、當愈傷組織形成后，將愈傷組織切割并轉入培養基中繼續培養，誘導叢生芽；e、將叢生芽轉入培養基中增殖培養；f、當叢生芽生長高度達到2cm～3cm時，將其轉入培養基中進行生根培養。本發明的技術方案可以有效的增加擴繁數量，從而能生產出大量優質的石斛苗。

1.一種石斛育苗方法，其特征在于，包括以下步驟：
a、將帶節的石斛莖段在培養基中培養，誘導腋芽；
b、待腋芽生長高度超過1cm時，將芽點切除，誘導叢生芽；
c、待眾生芽生長達到1cm～2cm時，切割叢生芽，叢生芽進行增殖及生根培養，并將切割
完叢生芽的原莖段放入培養基中培養，誘導愈傷組織；
d、當愈傷組織形成后，將愈傷組織切割并轉入培養基中繼續培養，誘導叢生芽；
e、將叢生芽轉入培養基中增殖培養；
f、當叢生芽生長高度達到2cm～3cm時，將其轉入培養基中進行生根培養；
其中，莖段誘導腋芽的培養基為：MS，NAA：0.4mg/L～0.6mg/L，6-BA：1.0mg/L～2.0mg/
L，KT：0.2mg/L～0.4mg/L，香蕉：10g/L～25g/L，碳粉：0.2g/L～1.0g/L；
莖段誘導愈傷組織培養基為：1/2MS培養基，花寶4號：1.0～2.0g/L，香蕉：40g/L～60g/
L，NAA：0.3mg/L～0.4mg/L，6-BA：0mg/L～2.0mg/L，KT：0.1mg/L～0.3mg/L，碳粉：0.2～
1.0g/L；
步驟e中增殖 培養基配方為：1/2MS培養基，花寶4號：1.0～2.0g/L，香蕉：40g/L～60g/
L，碳粉0.2g/L～1.0g/L，NAA：1.0mg/L～1.2mg/L，6-BA：1.5mg/L～1.7mg/L；
生根培養基的配方為：1/2MS培養基，香蕉：100g/L～120g/L，碳粉0.2g/L～1.0g/L，
NAA：0.5mg/L～1.5mg/L，IBA：0.5mg/L～1.0mg/L。
2.如權利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步驟b還包括：在切除芽點時，
保留0.1cm～0.5cm的芽點在莖段上。
3.如權利要求2所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步驟b還包括：在切除芽點后，
對保留的芽點的切面上進行縱切。
4.如權利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，步驟a中選取的莖段為石斛的靠近
根部的莖段。
5.如權利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步驟a還包括：在培養基培養之
前，對莖段進行消毒、殺菌處理。