1.一種芭蕉半液體離體組培快繁方法，包括以下步驟：
(1)外植體的選擇和滅菌
①將無病蟲害的芭蕉植株吸芽在自來水下沖洗干凈，剝去外層老葉和枯葉后，用質量
分數為72％硫酸鏈霉素溶液浸泡預處理3小時，再將經預處理的吸芽剝離為直徑為2～3cm，
長3～4cm的牙尖；
②將牙尖在自來水下清洗干凈，在無菌條件下，用體積分數為70％酒精浸泡30分鐘，再
用質量分數為0.1％升汞溶液滅菌25分鐘，用無菌水沖洗5～6次，再用無菌濾紙吸去表面水
分；
③再將牙尖分割留下生長點及其周圍有4～5層葉鞘的切塊為外植體；
(2)誘導培養
將步驟(1)③所述外植體接種到半液體誘導培養基上，在溫度為28～30℃，光照強度為
1600～2000lx，光照時間為8h/d，每分鐘搖動30次的恒溫搖床培養箱中，培養50天～60天，
得到瘤狀芽體，所述半液體誘導培養基為：
MS培養液+6-BA 4mg/L+NAA 0.15mg/L+蔗糖30g/L+活性炭0.5g/L+瓊脂3g/L，pH 5.6～
5.8；
(3)增殖繼代培養
①將誘導培養獲得的瘤狀芽體分割為0.4cm×0.4cm～0.6cm×0.6cm帶芽體的小塊，接
種到固體增殖繼代培養基中，在培養溫度28～30℃，光照強度1600～2000lx，光照時間8h/d
條件下培養25～30天，得到小苗，所述固體增殖繼代培養基為：
MS培養液+6-BA 3mg/L+NAA 0.15mg/L+蔗糖30g/L+活性炭0.5g/L+瓊脂6.0g/L，pH 5.6
～5.8；
②將步驟(3)①培養得到小苗中苗高度小于3cm的小苗切割繼續轉接到步驟(3)①中所
述的固體增殖繼代培養基中，在步驟(3)①中所述的培養條件下培養25～30天得到苗高達
3cm以上的小苗；
(4)生根培養
將步驟(3)①和步驟(3)②培養得到的苗高達3cm以上的小苗接種到生根培養基中，在
溫度23～25℃，光照強度2000～2300lx，光照時間為8h/d的條件下培養15～20天，得生根
苗，所述生根培養基為：
MS培養液+NAA 0.5mg/L+IBA 0.1mg/L+蔗糖30g/L+活性炭0.5g/L+瓊脂6.0g/L，pH 5.6
～5.8。
展開
