本發明公開了一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，屬甘薯組織培養改良技術。選取弱再生基因型甘薯品種心香作為試驗材料，選取薯塊催生嫩芽為試驗材料，在顯微鏡下剝取莖尖接種于一次性誘導植株再生培養基；在32℃下暗培養4-8天；然后在溫度28±1℃、光照10小時/天條件下培養；待芽分化后，將其在35℃暗培養；植株再生后轉入常規MS基本培養基、正常光照條件下進行繁殖培養。有益的效果：通過這一再生方法，弱再生基因型甘薯可以一步誘導成苗，并且再生率獲得顯著提高，均超過80.0％；植株再生的時間大大縮短，普遍為20-30d天，植株長勢好，生長速度快；該方法可操作性強、重復性好。

1.一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，其特征是：選取
弱再生基因型甘薯品種心香為試驗材料，選取薯塊催生嫩芽為試驗材料，在顯微
鏡下剝取莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基；莖尖分生組織接種于
誘導培養基后，首先經過暗培養；然后，在溫度28±1℃、光照10小時/天條
件下培養；待芽分化后，將其轉入光照培養箱，在暗培養條件下培養，促進植株
再生及節間的伸長；然后將再生植株轉入常規MS基本培養基、正常光照條件下
進行繁殖培養；所述的一次性誘導植株再生培養基為：MS基本培養基+NAA
0.1mg/L+6-BA2.0mg/L+TDZ0.5mg/L+4-FA0.1mg/L+蔗糖30g/L+Phytagel
2.5g/L，滅菌前調PH：5.8-6.0；
所述的接種于一次性誘導植株再生培養基的莖尖分生組織首先經過暗培養
是在32℃、暗培養4-8天；
所述的莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基培養，待芽分化后，
轉入光照培養箱暗培養的溫度為35℃。