1.一種微生物腐蝕工程制備氧析出反應電催化劑的方法,其特征在于,在含有硫酸鹽還原菌、硫酸根和金屬離子的培養(yǎng)基溶液中,對腐蝕基底材料進行化學腐蝕和微生物腐蝕;其中:所述硫酸鹽還原菌的自身代謝產物與所述培養(yǎng)基溶液中的金屬離子結合生成金屬硫化物;該金屬硫化物摻雜進入經化學腐蝕的所述基底材料中,在腐蝕基底材料表面生成金屬硫化物摻雜的腐蝕性生物膜,獲得所述氧析出反應電催化劑;所述腐蝕基底材料為泡沫鎳、鎳顆粒、鎳納米線、不銹鋼和碳鋼中的一種或多種。2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述腐蝕基底材料在使用前采用鹽酸、硝酸、乙醇和丙酮的一種或多種去除其表面的氧化膜或雜質。3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述培養(yǎng)基溶液中的金屬離子為Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+和Mn2+中的一種或多種,所述金屬離子的濃度不高于0.01mol/L。4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,對于每平方厘米的所述腐蝕基底材料,所述培養(yǎng)基溶液中含有體積分數為不大于80%的硫酸鹽還原菌原液,所述硫酸鹽還原菌原液中硫酸鹽還原菌的濃度為8×104cell/mL。5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述培養(yǎng)基溶液中的硫酸根的濃度不高于0.01mol/L。6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述化學腐蝕和微生物腐蝕條件為:在不高于37℃的密封無氧環(huán)境下腐蝕不超過21天。7.一種微生物腐蝕工程制備得到的氧析出反應電催化劑,其特征在于,其包括腐蝕基底材料和在所述腐蝕基底材料表面形成的腐蝕性生物膜,其中:所述腐蝕基底材料為泡沫鎳、鎳顆粒、鎳納米線、不銹鋼和碳鋼中的一種或多種;所述腐蝕性生物膜包括經化學腐蝕的腐蝕基底材料,還包括硫酸鹽還原菌的自身代謝產物與金屬離子結合生成的金屬硫化物,且該金屬硫化物摻雜進入經所述經化學腐蝕的腐蝕基底材料中;所述金屬離子為Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+和Mn2+中的一種或多種;所述腐蝕性生物膜厚度為50-300nm。8.如權利要求7所述的氧析出反應電催化劑,其特征在于,所述腐蝕基底材料為泡沫鎳或不銹鋼。9.如權利要求7所述的氧析出反應電催化劑,其特征在于,所述經化學腐蝕的腐蝕基底材料為金屬基氫氧化物。
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