1.一種表面波等離子體加工設備，包括反應腔室及用于向所述反應腔室提供微波能量的微波傳輸機構，其特征在于，還包括諧振機構，所述諧振機構包括諧振腔、金屬天線板、介質件和多個金屬探針，其中，所述諧振腔設置在所述反應腔室的頂部；所述多個金屬探針是可升降的，且其下端自所述諧振腔的頂部豎直延伸至所述諧振腔的內部；所述金屬天線板用作所述諧振腔的底部腔壁，且在所述金屬天線板上設置有沿其厚度方向貫穿的多個通孔，所述多個通孔的數量和位置與所述多個金屬探針的數量和位置一一對應；所述介質件用于將所述微波能量耦合進入所述反應腔室內；通過調節各個所述金屬探針的下端與所述金屬天線板之間的豎直間距，來調節在所述反應腔室內形成的等離子體的密度分布。2.如權利要求1所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，在所述金屬天線板所在平面上，所述多個金屬探針的投影分布在以所述金屬天線板所在平面的中心為圓心、且半徑不同的多個圓周上。3.如權利要求2所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述諧振機構還包括多個升降機構，所述升降機構的數量與所述圓周的數量相對應，各個升降機構用于一一對應地驅動各個圓周上的所有金屬探針同步上升或下降；或者，所述升降機構的數量與所述金屬探針的數量相對應，各個升降機構用于一一對應地驅動各個金屬探針上升或下降。4.如權利要求1所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，在所述金屬天線板所在平面上，所述多個金屬探針的投影分布在以所述金屬天線板所在平面的中心為圓心的一個圓周上。5.如權利要求4所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述諧振機構還包括多個升降機構，所述升降機構的數量與所述金屬探針的數量相對應，各個升降機構用于一一對應地驅動各個金屬探針上升或下降；或者，所述升降機構為一個，用以驅動所有的所述金屬探針同步上升或下降。6.如權利要求2或4所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，每個所述金屬探針具有外螺紋，且在所述諧振腔的頂壁腔壁上設置有貫穿其厚度的螺紋孔，各個金屬探針通過其外螺紋一一對應地安裝在各個螺紋孔中；通過順時針或逆時針旋轉任意一個金屬探針，來調節該金屬探針的下端與所述金屬天線板之間的豎直間距。7.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述金屬探針的下端與所述金屬天線板之間的豎直間距不小于10mm。8.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述諧振腔在豎直方向上的長度的取值范圍在10～200mm。9.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述通孔為圓孔，所述圓孔的直徑的取值范圍在20～120mm；或者，所述通孔為正方形孔，所述正方形孔的邊長的取值范圍在20～120mm。10.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述金屬天線板所采用的材料包括銅、鋁或者不銹鋼。11.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述介質件包括介質板，所述介質板設置在所述金屬天線板與所述反應腔室之間，且與所述反應腔室密封連接；或者，所述介質件包括安裝板，所述安裝板設置在所述金屬天線板與所述反應腔室之間，且與所述反應腔室密封連接，并且在所述安裝板中內嵌有貫穿其厚度的多個介質塊，所述介質塊的數量和位置與所述多個通孔的數量和位置一一對應。12.如權利要求11所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述介質件的厚度的取值范圍在5～80mm。13.如權利要求11所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述介質件所采用的材料包括石英或者陶瓷。14.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述介質件包括填充在各個所述通孔中的介質材料。15.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述表面波等離子體加工設備還包括連接筒和螺釘探針，其中，所述連接筒豎直設置在所述諧振腔的頂部，且其內部與所述諧振腔的內部相連通；所述微波傳輸機構包括用于傳輸微波能量的波導，所述波導與所述連接筒的頂部連接，且與所述連接筒的內部相連通；所述螺釘探針的下端豎直向下依次貫穿所述波導和所述連接筒，并延伸至所述諧振腔的內部，用以將微波能量饋入所述諧振腔內。16.如權利要求15所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述微波傳輸機構還包括短路活塞，所述短路活塞設置在所述波導的端部，用以調整所述波導內的駐波分布。
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