一種對準裝置，包括照明光源、工件臺、探針陣列、傳輸光纖、光電探測器、對準信號處理模塊、石英共振器、Z向控制器以及頻率發(fā)生器和電流測量裝置；從照明光源發(fā)出的光束從背面以大于臨界角的角度照明置于工件臺上的基準板或硅片上的對準標記，探針陣列將收集到的對準標記的近場信息以光強的方式耦合進傳輸光纖，傳輸光纖將光強信號傳輸給光電探測器，光電探測器將光強信號轉換為電信號并進行放大，最后傳輸給對準信號處理模塊進行信號處理和對準位置的計算；利用電流測量裝置確定探針陣列和硅片表面的距離；利用頻率發(fā)生器向石英共振器提供固定頻率；利用石英共振器配合Z向控制器調整探針陣列和硅片表面的距離，使距離處于近場區(qū)域。

1.一種光刻設備的近場對準裝置，包括照明光源、工件臺、探針陣列、傳輸光纖、光
電探測器、對準信號處理模塊，從所述照明光源發(fā)出的光束，從所述工件臺背面，以大于臨
界角的角度照射置于所述工件臺上的基準板或硅片上的對準標記，所述探針陣列將收集到的
信息以光強的方式耦合進所述傳輸光纖，所述傳輸光纖將光強信號傳輸給光電探測器，所述
光電探測器將光強信號轉換為電信號并進行放大，最后傳輸給對準信號處理模塊進行信號處
理和對準位置的計算；其特征在于：所述探針陣列收集到的信息為在所述對準標記正面形成
的近場信息，所述近場信息為符合所述對準標記表面形貌分布的光強信息，所述對準裝置還包
括Z向控制單元，利用所述Z向控制單元調整探針陣列和硅片表面的距離，使所述距離處于
近場區(qū)域。
2.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述傳輸光纖與所述探針
陣列被形成為一體。
3.根據權利要求1或2所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，利用鏡架實現各組件
的固定和定位。
4.根據權利要求3所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列和硅片表面
之間的距離處于近場區(qū)域中，即在對準光源的一個波長范圍內。
5.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述照明光源為對硅片和
石英透過的單色光或窄帶光。
6.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述對準標記被形成于工
件臺基準板上或硅片上。
7.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述對準標記的線寬小于
照明光波長。
8.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列為一維陣列。
9.根據權利要求8所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列的探針數量
與對準標記的線條數量對應。
10.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列為二維陣列。
11.根據權利要求10所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列的探針行
或列的數量與對準標記的線條數量相對應。
12.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，探針表面除尖端一定區(qū)域
通光口徑外，其他部分鍍覆金屬膜。
13.根據權利要求8-12中任意一個所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針
陣列通過化學腐蝕法或光刻方法制得。
14.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述Z向控制單元包括石
英共振器、Z向控制器以及頻率發(fā)生器和電流測量裝置；所述頻率發(fā)生器向所述石英共振器
提供固定頻率，所述石英共振器隨著所述探針陣列的位置變化，其切變力隨之變化，發(fā)生振
幅改變，形成探測電流，并發(fā)送至所述電流測量裝置，所述電流測量裝置根據所述探測電流，
確定所述探針陣列和所述和硅片表面的距離，并控制所述Z向控制器調節(jié)所述距離。
15.一種利用權利要求1-14中任意一個所述的對準裝置進行對準的方法，包括以下步
驟：
步驟一、將硅片輸送至工件臺的相應位置；
步驟二、將硅片進行預對準，使其進入對準標記捕獲范圍；
步驟三、利用Z向控制器根據石英共振器反饋的信號，調整探針陣列與硅片標記面之間
的間距，使探針陣列進入近場探測區(qū)域；
步驟四、通過工件臺的運動，利用對準裝置對對準標記進行水平向掃描，在所述對準標
記正面形成近場信息，所述近場信息為符合所述對準標記表面形貌分布的光強信息；
步驟五、根據掃描得到的強度與位置關系的掃描信號，計算對準位置；
步驟六、根據計算得到的對準位置，將工件臺移動到相應位置，完成對準。