本發明公開了一種局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統及方法，包括GTEM小室、射頻信號源、射頻功率放大器、同軸接頭、電場探頭、電場測量模塊、單極標準探針、測控計算機、高速示波器，在GTEM小室上方開有測試窗口，單極標準探針傳遞函數已知。以單極標準探針測量位置所處電場為基準，利用電場探頭測量不同位置的電場值與電場基準相比較，得出相應的補償量，對被測特高頻傳感器所處位置的電場進行補償計算，得到被測傳感器補償量，從而削弱測試位置不同造成的電場不均勻對被測特高頻傳感器等效高度的影響，進一步提高了特高頻傳感器等效高度測量準確度。

1.一種局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統，其特征是包括GTEM小室、射頻信號源、射頻功率放大器、同軸接頭、電場探頭、電場測量模塊、單極標準探針、測控計算機、高速示波器、位置固定及測量裝置，所述GTEM小室上方開有測試窗口，所述單極標準探針、電場探頭和被測特高頻傳感器通過位置固定及測量裝置置于測試窗口中心處，并測量其移動位置尺寸；所述單極標準探針與高速示波器連接、所述被測特高頻傳感器與高速示波器連接，高速數字示波器與測控計算機連接；所述電場探頭與電場測量模塊連接，電場測量模塊與測控計算機連接；所述測控計算機與射頻信號源連接、射頻功率放大器、同軸接頭連接，同軸接頭連接到GTEM小室，所述位置固定及測量裝置包括設置在支撐桿(2)頂部的支撐架(1)，支撐桿(2)上設有可沿其上下滑動的固定環(3)，固定環(3)上均布有朝向圓心位置的三個緊固夾板(4)，其中一個緊固夾板(4)上安裝有可上下移動的測量裝置(5)，所述測量裝置(5)為鋼直尺。2.根據權利要求1所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統，其特征是所述單極標準探針、電場探頭和被測特高頻傳感器可沿垂直于小室頂板面的軸向上下移動。3.根據權利要求1所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統，其特征是所述單極標準探針為尺寸、傳遞函數已知的短單極探針。4.一種局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量方法，其特征是包括局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統，所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統為權利要求1—3任一項所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補償測量系統，按照以下步驟：步驟1：將單極標準探針通過位置固定裝置安裝到小室上方測試窗口處，將GTEM小室測試窗口位置設為0，窗口下方為負，窗口上方為正，以小室頂部測試窗口中心為軸線，用測量裝置記錄單極標準探針距離GTEM小室測試窗口位置數據為y₀；步驟2：通過射頻信號源和射頻功率放大器向GTEM小室注入頻率范圍300MHz～3GHz電壓信號U_I(f)，在小室內部建立電場，單極標準探針耦合輸出電壓U_or(f)，單極標準探針經高速示波器傳輸到測控計算機輸出電壓信號為U_Mr(f)；步驟3：根據步驟1中單極標準探針的位置數據y₀，將電場探頭安裝在單極標準探針相同的位置y₀處，向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號U_I(f)，記錄電場探頭輸出電場值E_I(f)，則單極標準探針等效高度可表示為步驟4：以GTEM小室測試窗口位置為原點0，窗口下方為負，窗口上方為正，沿小室頂部測試窗口中心軸線將電場探頭移動到位置y₁，向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號U_I(f)，記錄電場探頭輸出電場值E₁(f)，位置y₁處電場與單極標準探針位置y₀處電場相比，可以算出補償量同樣的，按照該步驟移動電場探頭位置y₂，并計算對應的補償量以此類推，由一組y₁、y₂、y₃...y_n位置，測量得到一組電場值E₁(f)、E₂(f)、E₃(f)...E_n(f)，并計算得到對應的一組Δγ₁(f)、Δγ₂(f)、Δγ₃(f)...Δγ_n(f)；步驟5：將被測特高頻傳感器通過位置固定裝置安裝到小室上方測試窗口處，用測量裝置記錄被測特高頻傳感器距離GTEM小室測試窗口位置數據y_s，根據位置數據y_s，找出y₁、y₂、y₃...y_n中與其相減絕對值最小的量，即|y_s-y₁|、|y_s-y₂|、|y_s-y₃|...|y_s-y_n|中的最小值，設|y_s-y_i|＝min(|y_s-y₁|、|y_s-y₂|、|y_s-y₃|...|y_s-y_n|)，則y_s≈y_i，將y_i對應Δγ_i(f)的作為被測特高頻傳感器補償量，即Δγ_s(f)＝Δγ_i(f)；步驟6：向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號U_I(f)，被測特高頻傳感器所處位置處y_s的電場E_s(f)＝E_i(f)，其耦合輸出電壓U_os(f)，經測量系統輸出電壓為U_Ms(f)，當被測傳感器位于y₀時，所處電場為E_I(f)，其等效高度為由于被測傳感器位于y_s處，所處電場為E_i(f)＝Δγ_i(f)·E_I(f)，被測特高頻傳感器測得的等效高度與H_sens(f)相比有誤差，其表達式為因此，H_sens(f)＝Δγ_s(f)·H′_sens(f)；步驟7：設GTEM小室傳遞函數為H_cell，高速示波器或高速示波器到單極標準探針或被測特高頻傳感器線纜的傳遞函數為H_sys，則單極標準探針和被測特高頻傳感器輸出電壓可表示為由此推導得到結合步驟6，得到被測特高頻傳感器等效高度為