本發明提供一種具有石墨烯氣泡的石墨烯結構及其制備方法，制備方法包括：提供一襯底；對襯底進行處理，以于襯底的表面形成一離子膜層；提供一石墨烯層，并轉移石墨烯層至離子膜層的表面；將一探針置于石墨烯層上，并給探針施加一預設電壓，以激發探針對應位置的部分離子膜層轉換成對應的氣體，該氣體使得其對應位置的石墨烯層凸起以形成包覆該氣體的石墨烯氣泡，通過上述方案，本發明可以在任意襯底上制備得到石墨烯氣泡，不受襯底限制；本發明的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構以及該結構的制備方法，可以精確地控制石墨烯氣泡的形成位置，并實現了石墨烯氣泡的大小以及形狀等的高度可控，本發明的制備方法操作簡單，具有很強的可操作性和實用價值。

1.一種具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：1)提供一襯底；2)對所述襯底進行處理，以于所述襯底的上表面形成一離子膜層；3)提供一石墨烯層，并轉移所述石墨烯層至所述離子膜層的上表面；以及4)將一探針置于所述石墨烯層上，并給所述探針施加一預設電壓，以激發所述探針對應位置的部分所述離子膜層轉換成對應的氣體，所述氣體使得其對應位置的所述石墨烯層凸起以形成包覆所述氣體的石墨烯氣泡。2.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟2)中，對所述襯底進行處理的工藝包括采用溶液浸泡所述襯底以及采用等離子體活化處理所述襯底上表面中的任意一種。3.根據權利要求2所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，采用溶液浸泡的工藝時，所述溶液包括酸性溶液，其中，所述酸性溶液提供氫離子，以使得形成的所述離子膜層為氫離子膜層；采用等離子活化處理的工藝時，所述等離子體活化處理的氣體源包括Ar、H₂及N₂中的任意一種。4.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟1)和步驟2)之間，還包括對所述襯底的上表面進行清洗的步驟。5.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述襯底包括Si襯底、Ge襯底、Si/SiO₂構成的疊層結構襯底、GaAs襯底、GaN襯底、SiC襯底、Cu襯底、Ni襯底及BN襯底所構成的群組中的任意一種。6.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟3)中，所述石墨烯層包括單層石墨烯或多層石墨烯；轉移所述石墨烯層的工藝包括機械剝離工藝。7.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述石墨烯氣泡的底面形狀包括圓形、方形及環形中的任意一種。8.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述探針包括原子力顯微鏡的AFM導電探針，且依據需要形成所述石墨烯氣泡的位置，通過所述原子力顯微鏡選定所述AFM導電探針置于所述石墨烯層上的位置。9.根據權利要求8所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，采用所述原子力顯微鏡的接觸模式選擇所述AFM導電探針置于所述石墨烯層上的位置，且在所述接觸模式下給所述AFM導電探針施加所述預設電壓。10.根據權利要求8所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，設置所述原子力顯微鏡為自動模式，以連續制備出若干個所述石墨烯氣泡。11.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述探針包括掃描隧道顯微鏡的STM導電探針，且依據需要形成所述石墨烯氣泡的位置，通過所述掃描隧道顯微鏡選定所述STM導電探針置于所述石墨烯層上的位置。12.根據權利要求11所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，采用所述掃描隧道顯微鏡的恒流模式或恒高模式選擇所述STM導電探針置于所述石墨烯層上的位置，并采用脈沖模式給所述STM導電探針施加所述預設電壓。13.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述預設電壓介于-12V～-2V之間。14.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述探針與所述石墨烯層之間的壓力介于0nN～300nN之間。15.根據權利要求1所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，還包括步驟5)，重復步驟4)至少一次，以形成多個間隔排布的所述石墨烯氣泡。16.根據權利要求1～15中任意一項所述的具有石墨烯氣泡的石墨烯結構的制備方法，其特征在于，步驟4)中，所述預設電壓依據需要形成的所述石墨烯氣泡的大小設定；所述探針在所述石墨烯層上進行移動的區域依據需要形成的所述石墨烯氣泡的底面形狀設定。