1.基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，自上而下依次包括第一石英結構(1)、硅基結構(2)和第二石英結構(3)；第一石英結構(1)和第二石英結構(3)結構相同；第一石英結構(1)包括石英框架(4)、雙端固定石英音叉(5)、石英支撐梁(6)和石英質量塊(7)；石英支撐梁(6)和雙端固定石英音叉(5)平行設置；石英質量塊(7)位于石英框架(4)內，石英支撐梁(6)的一端連接石英質量塊(7)，另一端連接石英框架(4)；雙端固定石英音叉(5)的一端連接石英質量塊(7)，另一端連接石英框架(4)；石英框架(4)與石英質量塊(7)之間形成石英刻蝕槽(8)；硅基結構(2)包括硅基框架(9)和硅質量塊(11)，硅質量塊(11)位于硅基框架(9)內，硅質量塊(11)與硅基框架(9)之間形成硅釋放槽(10)和硅基刻蝕槽(12)；硅基框架(9)與兩側的石英框架(4)分別對應并鍵合連接，硅質量塊(11)與兩側的石英質量塊(7)分別對應并鍵合連接，硅釋放槽(10)為第一石英結構(1)和第二石英結構(3)的雙端固定石英音叉(5)和石英支撐梁(6)提供可動空間。2.根據權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，石英支撐梁(6)設置兩根，兩根石英支撐梁(6)對稱布置在雙端固定石英音叉(5)的兩側。3.根據權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，石英框架(4)為矩形框結構，石英質量塊(7)為矩形結構，且石英框架(4)和石英質量塊(7)的各矩形邊對應平行；硅基框架(9)為矩形框結構，硅質量塊(11)為矩形結構，且硅基框架(9)和硅質量塊(11)各矩形邊對應平行。4.根據權利要求3所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，硅基框架(9)的長度和寬度與石英框架(4)的長度和寬度分別相同，硅質量塊(11)的長度和寬度與石英質量塊(7)的長度和寬度分別相同，硅釋放槽(10)的長度與石英支撐梁(6)的長度相同，硅基刻蝕槽(12)的寬度與石英刻蝕槽(8)的寬度相同。5.根據權利要求3所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，石英支撐梁(6)設置兩根，兩根石英支撐梁(6)分別位于石英質量塊(7)相對的兩矩形邊的延長線上。6.根據權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，第一石英結構(1)的厚度為10-50μm。7.根據權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片，其特征在于，硅基結構(2)的厚度為100-500μm。8.基于權利要求1-7任一項所述的芯片的加速度計。9.權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片的加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：第一步，硅基的加工：在硅晶圓上制作刻蝕掩膜，將硅晶圓刻蝕穿透，刻蝕出硅釋放槽(10)；第二步，在刻蝕好的硅基兩側面上分別鍵合一石英片；第三步，兩個石英片減薄和拋光至同一厚度；第四步，石英結構電極及掩膜的制作：包括在減薄拋光后的石英片上進行第一石英結構(1)和第二石英結構(3)的石英振梁電極的制作和石英結構掩膜的制作；第五步，在兩個石英片上干法刻蝕第一石英結構(1)和第二石英結構(3)；第六步，硅基結構(2)的釋放：濕法腐蝕硅基結構(2)，刻蝕出硅基刻蝕槽(12)，使硅質量塊(11)與硅基框架(9)分割開。10.根據權利要求1所述的基于QoS工藝的加速度計芯片的加工工藝，其特征在于，鍵合采用直接鍵合、中介層鍵合或共晶鍵合的方式實現。
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