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硬質(zhì)材料涂覆的主體及其制造方法

  • 專利類型:發(fā)明專利
  • 有效期:不限
  • 發(fā)布日期:2022-01-06
  • 技術(shù)成熟度:通過中試
交易價格: ¥面議
  • 法律狀態(tài)核實
  • 簽署交易協(xié)議
  • 代辦官方過戶
  • 交易成功

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  • 技術(shù)(專利)類型 發(fā)明專利
  • 申請?zhí)?專利號 CN200880111969.9 
  • 技術(shù)(專利)名稱 硬質(zhì)材料涂覆的主體及其制造方法 
  • 項目單位 弗朗霍夫應用科學研究促進協(xié)會
  • 發(fā)明人 因戈爾夫·恩德勒,曼迪·赫恩 
  • 行業(yè)類別 智慧健康-其他
  • 技術(shù)成熟度 通過中試
  • 交易價格 ¥面議
  • 聯(lián)系人 吳似真
  • 發(fā)布時間 2022-01-06  
  • 01

    項目簡介

    本發(fā)明涉及具有多層的層體系的硬質(zhì)材料涂覆的主體,所述層體系包括至少一個TiAlN-硬質(zhì)材料層,并且涉及用于制造該主體的多步驟的CVD方法。該硬質(zhì)材料層主體具有多層的層體系,該層體系包括至少一個TiAlN-硬質(zhì)材料層,所述主體的特征在于,所述層體系由以下所述組成:a)由TiN、Ti(C,N)或TiC組成的施加在主體上的連接層,b)施加在連接層上的相梯度層,和c)一個或多個施加在相梯度層上的單相TiAlN-硬質(zhì)材料層或多相TiAlN-硬質(zhì)材料層,其中,所述相梯度層在其朝向連接層的側(cè)上由TiN/h-AlN相混合物組成并且在朝向一個或多個TiAlN-的硬質(zhì)材料層的方向上,隨著層厚度增加,具有份額>50%的fcc-TiAlN的增加的相份額,并且因此具有同時產(chǎn)生的、TiN和h-AlN的相份額的減少。所述涂層可以特別用于由鋼、硬質(zhì)金屬、金屬陶瓷和陶瓷組成的工具和構(gòu)件,例如像鉆頭、銑刀以及轉(zhuǎn)位式刀片。
    展開
  • 02

    說明書

    1.硬質(zhì)材料涂覆的主體,所述主體具有多層的層體系,所述層體
    系包括施加在主體上的連接層以及至少一個單相Ti1-xAlxN-硬質(zhì)材料層
    或多相Ti1-xAlxN-硬質(zhì)材料層,所述連接層由TiN、Ti(C,N)或者TiC組成,
    其特征在于,在所述連接層與所述硬質(zhì)材料層之間存在的相梯度層,
    所述相梯度層在所述相梯度層的朝向所述連接層的側(cè)上由TiN/h-AlN相
    混合物組成并且在朝向一個或多個Ti1-xAlxN-的硬質(zhì)材料層的方向上,
    隨著層厚度增加,具有份額>50%的fcc-TiAlN的增加的相份額,并且因
    此具有同時產(chǎn)生的TiN和h-AlN的相份額的減少。
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)材料涂覆的主體,其特征在于,所
    述多相Ti1-xAlxN-硬質(zhì)材料層包含有fcc-Ti1-xAlxN作為主相,其中,包含
    有呈纖鋅礦結(jié)構(gòu)的Ti1-xAlxN和/或TiN作為其他的相。
    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)材料涂覆的主體,其特征在于,所
    述相梯度層在所述相梯度層的厚度上具有恒定的或近似恒定的Ti、Al
    和N含量。
    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)材料涂覆的主體,其特征在于,所
    述相梯度層的層厚度為0.1μm至5μm。
    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬質(zhì)材料涂覆的主體,其中,在所述相
    梯度層中,Ti∶Al的原子比例為1∶1至1∶15。
    6.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項所述的硬質(zhì)材料涂覆的
    主體的方法,其特征在于,首先利用工業(yè)CVD標準工藝在主體上施加
    由TiN、Ti(C,N)或者TiC組成的連接層,在所述連接層上沉積有相梯度
    層,并且最后在所述相梯度層上以公知的方式借助無等離子激勵的
    CVD來沉積一個或多個單相Ti1-xAlxN-硬質(zhì)材料層或多相Ti1-xAlxN-硬質(zhì)
    材料層,其中,所述相梯度層的沉積利用具有連續(xù)下降的工藝溫度的
    CVD工藝,在應用由TiCl4、AlCl3、NH3和/或肼組成的前驅(qū)體混合物的
    情況下,以與H2和/或N2混合的方式來進行。
    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,用于沉積所述相梯
    度層的CVD工藝以在900℃與1050℃之間的初始溫度來開始,并且在沉
    積工藝的進程中,工藝溫度連續(xù)下降直至700℃與890℃之間的結(jié)束溫
    度。
    8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,用于沉積所述相梯
    度層的CVD工藝在1分鐘至60分鐘的時長內(nèi)進行。
    9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,向用于沉積所述相
    梯度層的前驅(qū)體/氣體混合物附加地混入惰性稀有氣體。
    10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,用于沉積所述相
    梯度層的CVD工藝在102至105Pa的壓強下進行。
    展開

專利技術(shù)附圖

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