雙模式磁冷藏裝置包括磁熱材料床、施加時(shí)變磁場至床的磁體、傳熱流體(HTF)、使HTF循環(huán)的泵、熱側(cè)熱交換器(HHEX)、冷側(cè)熱交換器(CHEX)、引導(dǎo)HTF流動(dòng)的閥，和配置為控制閥周期切換以使裝置在第一模式和第二模式下操作的控制器。第一模式將熱從CHEX傳遞至HHEX。在第二操作模式下，暫停閥的周期切換，以使得HTF單向流過HHEX、床和CHEX，使得熱從HHEX傳遞至CHEX。

1.雙模式磁冷藏裝置，其包括：
一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
施加時(shí)變磁場至所述一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床的磁體；
傳熱流體；
使所述傳熱流體循環(huán)的泵；
熱側(cè)熱交換器(HHEX)；
冷側(cè)熱交換器(CHEX)；
引導(dǎo)所述傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)閥；和
配置為控制所述一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換以使所述裝置在第一模
式和第二模式下操作的控制器，其中在第一模式下，當(dāng)施加至所述一
個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，所述一個(gè)或多個(gè)閥引導(dǎo)所述傳熱流體至
所述一個(gè)或多個(gè)床的冷端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床
的熱端和通過HHEX，和當(dāng)施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場低時(shí)，
至所述一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)
床的冷端和通過CHEX，以便將熱從所述CHEX傳遞至所述HHEX；
和
其中在第二操作模式下，暫停所述一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換，以
使得所述傳熱流體單向流過所述HHEX、所述一個(gè)或多個(gè)床和所述
CHEX，使得熱從所述HHEX傳遞至所述CHEX。
2.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述時(shí)變磁場的循環(huán)時(shí)間在第二
模式下比在第一模式下更長。
3.權(quán)利要求1所述的裝置，其中施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的所述
時(shí)變磁場在所述第二模式期間暫停。
4.權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述第二模式期間，所述CHEX
的溫度為0攝氏度或更高。
5.權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述第一模式期間，所述CHEX
的溫度為0攝氏度或更低。
6.權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括配置為引導(dǎo)空氣經(jīng)過所述
CHEX的風(fēng)扇。
7.權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述風(fēng)扇
在所述第一模式期間引導(dǎo)空氣經(jīng)過所述CHEX。
8.權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述風(fēng)扇
在所述第二模式期間不引導(dǎo)空氣經(jīng)過所述CHEX。
9.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)閥是電控制閥。
10.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述磁體配置為相對(duì)于所述一個(gè)
或多個(gè)床移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述時(shí)變磁場。
11.權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述控制器配置為暫停所述磁
體相對(duì)于所述一個(gè)或多個(gè)床的移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第二模式。
12.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)床配置為相對(duì)于
所述磁體移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述時(shí)變磁場。
13.權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述控制器配置為暫停所述一
個(gè)或多個(gè)床相對(duì)于所述磁體的移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第二模式。
14.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述裝置
相對(duì)于所述第一模式的操作以所述第二模式操作一定時(shí)間量。
15.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置為當(dāng)所述CHEX
達(dá)到具體的溫度時(shí)控制所述裝置以所述第二模式操作。
16.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置為當(dāng)所述CHEX
在具體的溫度持續(xù)具體的時(shí)間段時(shí)控制所述裝置以所述第二模式操
作。
17.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置為當(dāng)被所述
CHEX冷卻的隔間處于具體的溫度時(shí)，控制所述裝置以所述第二模式
操作。
18.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置為當(dāng)被所述
CHEX冷卻的隔間處于具體的溫度時(shí)，控制所述裝置以所述第一模式
操作。
19.權(quán)利要求1所述的裝置，其中控制器配置為引導(dǎo)來自由所述
CHEX冷卻的第一隔間的冷空氣進(jìn)入第二隔間，其中第一隔間由所述
控制器保持在低于0攝氏度的溫度和第二隔間由所述控制器保持在高
于0攝氏度的溫度。
20.雙模式磁冷藏裝置，其包括：
一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
施加時(shí)變磁場至所述一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床的磁體；
傳熱流體；
使所述傳熱流體循環(huán)的泵；
熱側(cè)熱交換器(HHEX)；
冷側(cè)熱交換器(CHEX)；
引導(dǎo)所述傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)閥；和
配置為控制一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換以使所述裝置在第一模式和
第二模式下操作的控制器，其中在第一模式下，當(dāng)施加至所述一個(gè)或
多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，所述一個(gè)或多個(gè)閥引導(dǎo)所述傳熱流體至所述
一個(gè)或多個(gè)床的冷端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床的熱
端和通過HHEX，和當(dāng)施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場低時(shí)，至
所述一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床
的冷端和通過CHEX，以便當(dāng)HHEX的環(huán)境處在與CHEX的環(huán)境類似
的溫度或更高的溫度時(shí)，將熱從CHEX傳遞至HHEX；和
其中在第二操作模式下，暫停所述一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換，以
使得所述傳熱流體單向流過所述HHEX、所述一個(gè)或多個(gè)床和所述
CHEX，使得當(dāng)HHEX的環(huán)境處在比CHEX的環(huán)境更低的溫度時(shí)，將
熱從CHEX傳遞至HHEX。
21.權(quán)利要求20所述的裝置，其中時(shí)變磁場的循環(huán)時(shí)間在第二模
式下比在第一模式下更長。
22.權(quán)利要求20所述的裝置，其中施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)
變磁場在所述第二模式期間暫停。
23.權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)閥是電控制閥。
24.權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述磁體配置為相對(duì)于所述一
個(gè)或多個(gè)床移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述時(shí)變磁場。
25.權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述控制器配置為暫停所述磁
體相對(duì)于所述一個(gè)或多個(gè)床的移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第二模式。
26.權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)床配置為相對(duì)
于所述磁體移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述時(shí)變磁場。
27.權(quán)利要求26所述的裝置，其中所述控制器配置為暫停所述一
個(gè)或多個(gè)床相對(duì)于所述磁體的移動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)所述第二模式。
28.具有旁路的雙模式磁冷藏裝置，其包括：
一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
施加時(shí)變磁場至所述一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床的磁體；
傳熱流體；
使所述傳熱流體循環(huán)的泵；
熱側(cè)熱交換器(HHEX)；
冷側(cè)熱交換器(CHEX)；
引導(dǎo)所述傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)閥；和
配置為控制一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換以使所述裝置在第一模式和
第二模式下操作的控制器，其中在第一模式下，當(dāng)施加至所述一個(gè)或
多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，所述一個(gè)或多個(gè)閥引導(dǎo)所述傳熱流體至所述
一個(gè)或多個(gè)床的冷端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床的熱
端和通過HHEX，和當(dāng)施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場低時(shí)，至
所述一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床
的冷端和通過CHEX，以便將熱從所述CHEX傳遞至所述HHEX；和
其中在第二操作模式下，所述一個(gè)或多個(gè)閥保持旁路布置，以使
得所述傳熱流體單向流過HHEX和CHEX，使得熱從HHEX傳遞至
CHEX，和其中所述傳熱流體繞過一個(gè)或多個(gè)床，同時(shí)所述一個(gè)或多個(gè)
閥在旁路布置中。
29.權(quán)利要求28所述的裝置，其中施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的所
述時(shí)變磁場在所述第二模式期間暫停。
30.權(quán)利要求28所述的裝置，進(jìn)一步包括配置為引導(dǎo)空氣經(jīng)過所
述CHEX的風(fēng)扇。
31.權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述風(fēng)
扇在所述第一模式期間引導(dǎo)空氣經(jīng)過所述CHEX。
32.權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述風(fēng)
扇在所述第二模式期間不引導(dǎo)空氣經(jīng)過所述CHEX。
33.權(quán)利要求28所述的裝置，其中所述控制器配置為控制所述裝
置相對(duì)于所述第一模式的操作以所述第二模式操作一定時(shí)間量。
34.權(quán)利要求28所述的裝置，其中所述控制器配置為當(dāng)所述CHEX
達(dá)到具體的溫度時(shí)控制所述裝置以所述第二模式操作。
35.具有旁路的雙模式磁冷藏裝置，其包括：
一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
施加時(shí)變磁場至所述一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床的磁體；
傳熱流體；
使所述傳熱流體循環(huán)的泵；
熱側(cè)熱交換器(HHEX)；
冷側(cè)熱交換器(CHEX)；
引導(dǎo)所述傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)閥；和
配置為控制一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換以使所述裝置在第一模式和
第二模式下操作的控制器，其中在第一模式下，當(dāng)施加至所述一個(gè)或
多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，所述一個(gè)或多個(gè)閥引導(dǎo)所述傳熱流體至所述
一個(gè)或多個(gè)床的冷端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床的熱
端和通過HHEX，和當(dāng)施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場低時(shí)，至
所述一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過所述一個(gè)或多個(gè)床至所述一個(gè)或多個(gè)床
的冷端和通過CHEX，以便當(dāng)HHEX的環(huán)境處在與CHEX的環(huán)境類似
的溫度或更高的溫度時(shí)，將熱從CHEX傳遞至HHEX；和
其中在第二操作模式下，所述一個(gè)或多個(gè)閥保持旁路布置，以使
得傳熱流體單向流過HHEX和CHEX，使得當(dāng)HHEX的環(huán)境處在比
CHEX的環(huán)境更低的溫度時(shí)，將熱從CHEX傳遞至HHEX，和其中所
述傳熱流體繞過一個(gè)或多個(gè)床，同時(shí)所述一個(gè)或多個(gè)閥在旁路布置中。
36.權(quán)利要求35所述的裝置，其中施加至所述一個(gè)或多個(gè)床的所
述時(shí)變磁場在所述第二模式期間暫停。
37.組合磁冷藏-冷凍裝置，包括：
保持高于0℃的冷藏隔間；
保持低于0℃的冷凍隔間；
控制器；
配置為產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)時(shí)變磁場的一個(gè)或多個(gè)磁體；
用于冷藏隔間的第一磁冷藏系統(tǒng)，包括：
第一組一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
第一傳熱流體(HTF)；
驅(qū)動(dòng)所述第一傳熱流體流動(dòng)的第一泵；
熱側(cè)熱交換器(HHEX)；
第一冷側(cè)熱交換器(CHEX)；
級(jí)間熱交換器(IHEX)的第一部分；
引導(dǎo)第一傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)第一閥；并且
其中所述控制器配置為控制一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換，以當(dāng)
施加至第一組一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，引導(dǎo)第一HTF至第一組
一個(gè)或多個(gè)床的冷端通過第一組一個(gè)或多個(gè)床至第一組一個(gè)或多個(gè)床
的熱端和通過HHEX，和當(dāng)施加至第一組一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場低
時(shí)，至第一組一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過第一組一個(gè)或多個(gè)床至第一組
一個(gè)或多個(gè)床的冷端和通過第一CHEX和所述IHEX的第一部分，以
便從第一CHEX和所述IHEX的第一部分傳熱至HHEX；和
用于所述冷凍隔間的第二磁冷藏系統(tǒng)，其包括：
第二組一個(gè)或多個(gè)磁熱材料床；
第二傳熱流體；
驅(qū)動(dòng)第二傳熱流體流動(dòng)的第二泵；
第二CHEX；
IHEX的第二部分；
引導(dǎo)第二傳熱流體流動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)第二閥；和
其中所述控制器配置為控制一個(gè)或多個(gè)閥的周期切換，以當(dāng)
施加至一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)變磁場高時(shí)，引導(dǎo)第二HTF至第二組一個(gè)或
多個(gè)床的冷端通過第二組一個(gè)或多個(gè)床至第二組一個(gè)或多個(gè)床的熱端
和通過所述IHEX的第二部分，和當(dāng)施加至第二組一個(gè)或多個(gè)床的時(shí)
變磁場低時(shí)，至第二組一個(gè)或多個(gè)床的熱端通過第二組一個(gè)或多個(gè)床
至第二組一個(gè)或多個(gè)床的冷端和通過第二CHEX，以便將熱從第二
CHEX經(jīng)所述IHEX的第二部分傳遞至所述IHEX的第一部分。
38.權(quán)利要求37所述的裝置，其中所述控制器控制所述一個(gè)或多
個(gè)第一閥保持在旁路布置中，以使所述第一傳熱流體單向流過第一組
一個(gè)或多個(gè)床、HHEX、第一CHEX和所述IHEX的第一部分，并且
其中所述控制器控制一個(gè)或多個(gè)第二閥保持在旁路布置中，以使得第
二傳熱流體單向流過第二組一個(gè)或多個(gè)床、第二CHEX和所述IHEX
的第二部分，使得熱從HHEX傳遞至第一CHEX和第二CHEX。
39.權(quán)利要求37所述的裝置，其中所述控制器控制所述一個(gè)或多
個(gè)第二閥保持在使第二傳熱流體單向流過第二組一個(gè)或多個(gè)床、第二
CHEX和所述IHEX的第二部分的位置，使得熱從第一CHEX傳遞至
第二CHEX。
40.權(quán)利要求37所述的裝置，其中所述第二傳熱流體具有比第一
傳熱流體更低的冰點(diǎn)。