1.一種用于在化學氣相沉積設備中使用的溫度受控蓮蓬頭組合件，所述溫
度受控蓮蓬頭組合件包括：
熱傳導桿；
背板，其附接到所述熱傳導桿；
面板，其熱耦合到所述熱傳導桿且附接到所述背板，所述背板包括三
個或更多堆疊的圓盤，所述圓盤的直徑從所述面板的附接物到所述熱傳
導桿的附接物依次減小；
加熱元件，其熱耦合到所述熱傳導桿；
熱交換器，其熱耦合到所述熱傳導桿；以及
溫度傳感器，其熱耦合到所述面板，
其中所述溫度受控蓮蓬頭經配置以通過在所述加熱元件與所述面板
之間和所述熱交換器與所述面板之間提供熱傳遞路徑而將所述面板的
溫度維持于預定范圍內。
2.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述熱傳導桿的實
心橫截面沿著軸部分的長度平均來說為至少5平方英寸。
3.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中選自由所述熱傳導
桿、所述背板和所述面板組成的群組的一個或更多組件包括具有至少
150瓦/(米·開爾文)的熱傳導率的材料。
4.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中選自由所述熱傳導
桿、所述背板和所述面板組成的群組的一個或更多組件包括選自由鋁
6061和鋁3003組成的群組的材料。
5.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述背板的平均厚
度為至少2英寸。
6.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述面板的平均厚
度在0.5英寸與1英寸之間。
7.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述面板與所述背
板之間的平均間隙在0.25英寸與0.75英寸之間。
8.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述面板與所述背
板之間的接觸面積在30平方英寸與50平方英寸之間。
9.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述面板具有13.5
英寸與16.5英寸之間的直徑。
10.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述熱交換器包括
經配置以允許冷卻流體流動的對流冷卻流體通路。
11.根據權利要求10所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述冷卻流體選
自由水和液體防凍溶液組成的群組。
12.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述熱交換器定位
于距所述面板7英寸內。
13.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述溫度受控蓮蓬
頭組合件經配置以針對所述面板的在0.2與0.8之間的發射率而將所述
面板的所述溫度維持在200℃與300℃之間。
14.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述加熱元件包括
兩個筒形加熱器，每一筒形加熱器經配置以提供至少500W的功率輸出。
15.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述桿包括頂表面，
且其中所述加熱元件定位于所述桿內且經配置以穿過所述頂表面而放
置于所述桿中和從所述桿中移除。
16.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述桿包括頂表面，
且其中所述溫度傳感器定位于所述桿內且經配置以穿過所述頂表面而
放置于所述桿中和從所述桿移除。
17.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中選自由所述桿和所
述背板組成的群組的一個或更多元件的外表面包括高發射率表面。
18.根據權利要求17所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述高發射率表
面是陽極氧化鋁。
19.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述面板具有經配
置以用于均勻分配過程氣體的多個通孔。
20.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述加熱元件可從
所述溫度受控蓮蓬頭組合件移除。
21.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述熱交換器可從
所述溫度受控蓮蓬頭組合件移除。
22.根據權利要求1所述的溫度受控蓮蓬頭組合件，其中所述溫度傳感器可
從所述溫度受控蓮蓬頭組合件移除。
23.一種用于在化學氣相沉積設備中使用的溫度受控蓮蓬頭組合件，所述溫
度受控蓮蓬頭組合件包括：
熱傳導桿，其包括鋁6061；
背板，其包括鋁6061且具有至少2英寸的平均厚度，其中所述背板
附接到所述熱傳導桿；
面板，其包括鋁6061且具有0.5英寸與1英寸之間的平均厚度，其
中所述面板熱耦合到所述熱傳導桿且附接到所述背板，其中所述面板與
所述背板之間的平均間隙在0.25英寸與0.75英寸之間，所述背板包括
三個或更多堆疊的圓盤，所述圓盤的直徑從所述面板的附接物到所述熱
傳導桿的附接物依次減小；
加熱元件，其包括兩個筒形加熱器，每一筒形加熱器經配置以提供至
少500W的功率輸出，其中所述加熱元件熱耦合到所述熱傳導桿；
熱交換器，其熱耦合到所述熱傳導桿；以及
溫度傳感器，其熱耦合到所述面板，
其中所述溫度受控蓮蓬頭經配置以通過在所述加熱元件與所述面板
之間和所述熱交換器與所述面板之間提供熱傳遞路徑而將所述面板的
溫度維持于預定范圍內。
24.一種用于在部分制造的半導體襯底上沉積半導體材料的化學氣相沉積
系統，所述化學氣相沉積系統包括：
處理腔室，其經配置以維持所述處理腔室內的低壓力環境；
襯底支撐件，其用于固持所述部分制造的半導體襯底且將所述部分制
造的半導體襯底的溫度維持在500℃與600℃之間；
溫度受控蓮蓬頭組合件，其包括：
熱傳導桿；
背板，其附接到所述熱傳導桿；
面板，其熱耦合到所述熱傳導桿且附接到所述背板，所述背板包括三
個或更多堆疊的圓盤，所述圓盤的直徑從所述面板的附接物到所述熱傳
導桿的附接物依次減小；
加熱元件，其熱耦合到所述熱傳導桿；
熱交換器，其熱耦合到所述熱傳導桿；以及
溫度傳感器，其熱耦合到所述面板，
其中所述溫度受控蓮蓬頭經配置以通過在所述加熱元件與所述面板
之間和所述熱交換器與所述面板之間提供熱傳遞路徑而將所述面板的
溫度維持于預定范圍內。
25.根據權利要求24所述的化學氣相沉積系統，其中所述溫度受控蓮蓬頭
的所述面板定位于距所述襯底支撐件0.7英寸內，且其中所述溫度受控
蓮蓬頭經配置以在所述襯底支撐件維持于500℃與550℃之間的同時將
所述面板的所述溫度維持于200℃與300℃之間。
26.根據權利要求24所述的化學氣相沉積系統，其進一步包括原位等離子
產生器。
27.根據權利要求24所述的化學氣相沉積系統，其中所述化學氣相沉積系
統是單臺沉積系統。
28.根據權利要求24所述的化學氣相沉積系統，其進一步包括第二襯底支
撐件。
29.根據權利要求28所述的化學氣相沉積系統，其中所述襯底支撐件和所
述第二襯底支撐件定位于所述處理腔室內且經配置以暴露于同一低壓
力環境。
30.根據權利要求28所述的化學氣相沉積系統，其進一步包括經配置以維
持與所述處理腔室不同的環境的第二處理腔室，其中所述襯底支撐件定
位于所述處理腔室中且所述第二襯底支撐件定位于所述第二處理腔室
中。
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