提供了單晶碳化硅納米線及所述納米線的制備方法。所述單晶碳化硅納米線具有很高的縱橫比并可用于納米電子器件的制造，包括電子槍發射器和MEMS探針尖端，用于各種顯示器和分析儀。另外提供了包含所述納米線的過濾器。所述過濾器應用于用于過濾機動車發動機尾氣的系統，以獲得改善的過濾性能和延長壽命。

1.一種用于制備單晶碳化硅納米線的方法，所述方法包括如下步驟：混合二氧化硅和碳以形成混合物；壓制所述混合物以形成多孔載體；和在惰性氣氛下晶化所述多孔載體。2.根據權利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅和所述碳以重量比6∶1～0.5∶1進行混合。3.根據權利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅和所述碳以重量比4∶1～1∶1進行混合。4.根據權利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅為純度97％或更高的低級別二氧化硅。5.根據權利要求1所述的方法，其中所述碳選自炭黑、科琴黑、乙炔黑、及其混合物。6.根據權利要求1所述的方法，其中所述多孔載體具有30％～70％的孔隙率和1～10μm的孔徑。7.根據權利要求1所述的方法，其中通過通入氬氣、含10％氫氣的氬氣或其混合氣形成所述惰性氣氛。8.根據權利要求1所述的方法，其中在1300～1600℃且1×10^-2～1×10^-3托的壓力下進行所述晶化。9.一種包含由權利要求1的方法所制備的單晶碳化硅納米線的過濾器。10.根據權利要求9所述的過濾器，其中所述單晶碳化硅納米線是在過濾器基底的表面或其內部生長的。11.根據權利要求9所述的過濾器，其中所述過濾器是機動車發動機尾氣過濾器。12.一種用于制備過濾器的方法，所述方法包括以下步驟：混合二氧化硅和碳以形成混合物；壓制所述混合物以形成多孔載體；將所述多孔載體置于過濾器基底上面或下面，和在惰性氣氛下晶化所得結構以生長單晶碳化硅納米線。