本發明涉及一種多晶硅雜質檢測的預處理方法，具體涉及一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法。其步驟如下：（1）稱取多晶硅樣品0.1-0.5g于PTFE燒杯中；（2）將1%甘露醇溶液0.3-1ml加入PTFE燒杯使多晶硅樣品浸潤；（3）將質量分數為49%的氫氟酸3-5ml加入PTFE燒杯中；（4）加入0.5-1.0ml質量分數為35%的硝酸，再加入1.0-2.0ml質量分數為70%的硝酸，反應至多晶硅樣品完全消溶；（5）控制溫度使硅揮發，定容后調節酸度，檢測雜質含量，操作結束。本發明的優點在于：可以使多晶硅中硼元素及其他金屬元素同時被檢測，同時硼元素保留作用明顯，使其回收率可從80～85%提升至95%以上，方法簡單易于操作，縮短了溶液蒸干的時間，提高了多晶硅預處理效率。

1.一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于，步驟如下：
(1)稱取多晶硅樣品0.1-0.5g于PTFE燒杯中；
(2)將1％甘露醇溶液0.3-1.0ml加入PTFE燒杯使多晶硅樣品浸潤；
(3)將質量分數為49％的氫氟酸3.0-5.0ml加入PTFE燒杯中；
(4)加入0.5-1.0ml質量分數為35％的硝酸，再加入1.0-2.0ml質量分數為70％的硝
酸，反應至多晶硅樣品完全消溶；硝酸的加入速度為0.2-0.5ml/min；
(5)控制溫度使硅揮發，定容后調節酸度，檢測雜質含量，操作結束。
2.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟
(5)中控制溫度在80-100℃。
3.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟
(5)中酸度為5％。
4.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟
(5)采用ICP-AES或ICP-MS檢測多晶硅中的雜質含量。