本發(fā)明屬于植物組織培養(yǎng)技術(shù)領(lǐng)域。公開了一種離體培養(yǎng)金絲桃再生植株的方法。步驟是：A：將預(yù)先培養(yǎng)的金絲桃不同品種的無菌苗接種于MS基本培養(yǎng)基中繼代培養(yǎng)；B：配制再生培養(yǎng)基：MS基本培養(yǎng)基+噻重氮苯基脲0.08-0.8mg/L+α-萘乙酸0.01-0.05mg/L+濾紙作濾紙橋；C：在無菌條件下，以繼代培養(yǎng)了40-45天金絲桃無菌苗的葉片為外植體接種于MS在再生培養(yǎng)基中，使其近軸面朝向所述的再生培養(yǎng)基，暗培養(yǎng)15-25天后轉(zhuǎn)入光照下培養(yǎng)，24-26天后，獲得再生芽；D：將步驟C的再生芽切下接種于MS基本培養(yǎng)基中繼代培養(yǎng)，獲得完整再生植株。本發(fā)明簡單易行，操作方便，再生頻率高，可加快切花金絲桃的遺傳轉(zhuǎn)化和的分子育種材料的制備。

1.一種離體培養(yǎng)金絲桃再生植株的方法，其步驟是：1)將金絲桃的莖段滅菌后再切割成1-2cm的帶芽莖段接種于附加7.5g/L瓊脂和3g/L蔗糖的MS基本培養(yǎng)基上進(jìn)行繼代培養(yǎng)，培養(yǎng)溫度為24-26℃，光照時(shí)間為14h/d，光照強(qiáng)度為2500lx；得到金絲桃無菌苗；2)切取繼代培養(yǎng)了40-45天的步驟1)的金絲桃無菌苗的葉片接種于MS再生培養(yǎng)基內(nèi)，使其近軸面朝向所述的MS再生培養(yǎng)基上于24-26℃下暗培養(yǎng)15-25天；再轉(zhuǎn)入光照下培養(yǎng)24-26天，培養(yǎng)溫度為24-26℃，光照時(shí)間為14h/d，光照強(qiáng)度為2500lx，得到金絲桃再生芽；3)將步驟2)得到的金絲桃再生芽切下接種于附加7.5g/L瓊脂和3g/L蔗糖的MS基本培養(yǎng)基中繼代培養(yǎng)，培養(yǎng)溫度為24-26℃，光照時(shí)間為14h/d，光照強(qiáng)度為2500lx，獲得完整再生植株；其中：所述的MS再生培養(yǎng)基為：MS基本培養(yǎng)基+噻重氮苯基脲0.08-0.8mg/L+α-萘乙酸0.01-0.05mg/L+濾紙1片作濾紙橋；調(diào)培養(yǎng)基的pH至5.8-6.0，在121℃高壓蒸汽滅菌18-22min，備用。