1.一種基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其為式Ⅰ所示化合物:
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A為O,S或Si;B為O,S或N-R
1;R
1選自H,NH
2,C
1~C
4的烴基或苯基;C為O、或式Ⅱ所示基團:丙二腈(Ⅱ-1)或三氰基化合物(Ⅱ-2)或多元取代雜環(huán)(Ⅱ-3,4,5);
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其中所述式Ⅱ中,式Ⅱ-2中:R
2選自苯基;式Ⅱ-3中:R
3選自O(shè)或N-R
12,R
12選自C
1~C
4的直鏈烷基;R
4與R
5的組合為苯基;式Ⅱ-4中:R
6與R
7的組合為苯基或式Ⅴ;R
8選自C
1~C
4的直鏈烷基;式Ⅱ-5中:R
9選自H,C
1~C
3的直鏈烷基;R
10、R
11選自苯基或F;
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D為O-R
13,NH-R
14,R
13,R
14分別獨立選自H,或式Ⅲ-1A,Ⅲ-1B,Ⅲ-1C,或Ⅲ-2A;
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E為H、或式ⅣA,ⅣB:
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2.如權(quán)利要求1所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,式Ⅰ中,C為O、或式Ⅱ所示基團:丙二腈(Ⅱ-1)或三氰基化合物(Ⅱ-2A)或多元取代雜環(huán)(Ⅱ-3A,3B,4A,5A);
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3.如權(quán)利要求1所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,式Ⅰ中,A為O。4.如權(quán)利要求1所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,式Ⅰ中,B為O。5.如權(quán)利要求1所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,式Ⅰ為式Ⅰ-1,Ⅰ-2或Ⅰ-3:
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6.如權(quán)利要求5所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,Ⅰ為式Ⅰ-1A,Ⅰ-2A,Ⅰ-1B,Ⅰ-1C,Ⅰ-1D,Ⅰ-2D,Ⅰ-1E,Ⅰ-1F,或Ⅰ-1G;
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7.如權(quán)利要求6所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針,其特征在于,Ⅰ為式1-1D-1或1-1D-2;
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8.如權(quán)利要求1~7中任意一項所述的基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針作為內(nèi)標比率型探針的應(yīng)用。9.一種基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針的制備方法,是以熒光素衍生物作為起始原料,以丙二腈、三氰基苯、吲哚、吡喃腈作為輔助熒光單元,以丙烯?;?,4-二硝基苯磺?;鳛樯飿酥疚镯憫?yīng)單元,制備得到可對熒光探針吸收波長及雙通道熒光發(fā)射波長調(diào)控的熒光探針。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于熒光素衍生物的內(nèi)標比率型熒光探針的制備方法,其特征在于,所述吸收波長為400nm-750nm;雙通道熒光發(fā)射,通道一發(fā)射波長為520nm,通道二發(fā)射波長為517nm-720nm。