1.一種介質硅光子晶體光纖,包含有介質硅納米粒子、光學UV膠、微米光纖,介質硅納米粒子借助超聲波振蕩均勻分散并懸浮微米光纖的光學UV膠(5)中,形成三維光子晶體結構。2.根據權利要求1所述的一種介質硅光子晶體光纖,其特征在于,所述的介質硅納米粒子(1)的形狀為球形,直徑為100nm。3.根據權利要求1或2所述的一種介質硅光子晶體光纖,其特征在于,所述的微米光纖的材質為石英,折射率為1.46,內徑為20微米,外徑為150微米,光學UV膠(5)的折射率為1.37。4.根據權利要求1或2所述的一種介質硅光子晶體光纖,其特征在于,所述的光學UV膠(5)的折射率為1.37。5.根據權利要求3所述的一種介質硅光子晶體光纖,其特征在于,所述的光學UV膠(5)的折射率為1.37。6.權利要求1-5任一所述一種介質硅光子晶體光纖的制作方法,包括以下步驟:(1)利用微量生物注射器將含有介質硅納米粒子(1)的光學UV膠(5)注入微米光纖(6)中,借助超聲波振蕩技術使介質硅納米粒子(1)均勻分散并懸浮在光學UV膠(5)中,即形成三維光子晶體結構;(2)使用顯微鏡(7)實時監測光子晶體結構,并通過寬譜激光器(3)和光譜分析儀(4)實時監測透射光譜變化,待觀測到光子晶體光纖的特征透射光譜時啟動紫外光固化器(8)將光學UV膠(5)固化,截取固化后的石英毛細管,得到介質硅光子晶體光纖。7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述的寬譜激光器的波長范圍為1520-1560nm。8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,光譜分析儀的波長探測范圍為1200-2000nm。9.根據權利要求7所述的制作方法,其特征在于,光譜分析儀的波長探測范圍為1200-2000nm。10.根據權利要求7或8或9所述的制作方法,其特征在于,紫外光固化器的功率為125W。
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