本發(fā)明公開了一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針數(shù)量計(jì)算方法包括：根據(jù)現(xiàn)有MOSFET產(chǎn)品被探測(cè)區(qū)的尺寸特點(diǎn)創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫(kù)；設(shè)置探針與探針之間距離的最小值大于等于80um,探針與被探測(cè)區(qū)邊緣的距離大于等于40um，當(dāng)探針規(guī)格I＝500ma時(shí)，探針針徑為d＝55±5um，當(dāng)探針規(guī)格I＝1A時(shí)，探針針徑為d＝100±5um；根據(jù)待測(cè)產(chǎn)品的測(cè)試電流，測(cè)試電壓，確定柵區(qū)探針的數(shù)量N和源區(qū)探針的數(shù)量N。本發(fā)明還公開了一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針位置設(shè)計(jì)方法和一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針卡生成方法。本發(fā)明的方法能針對(duì)各種MOSFET產(chǎn)品快速確定MOSFET被探測(cè)區(qū)探針數(shù)量，快速確定MOSFET被探測(cè)區(qū)探針位置，快速生成MOSFET被探測(cè)區(qū)探針卡。

1.一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針數(shù)量計(jì)算方法，其特征是，包括以下步驟：
1)根據(jù)現(xiàn)有MOSFET產(chǎn)品被探測(cè)區(qū)的尺寸特點(diǎn)創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫(kù)，所述被探測(cè)區(qū)是源區(qū)和柵
區(qū)；
2)設(shè)置探針與探針之間距離的最小值大于等于80um,探針與被探測(cè)區(qū)邊緣的距離大于
等于40um，當(dāng)探針規(guī)格I_unit＝500mA時(shí)，探針針徑為d＝55±5um，當(dāng)探針規(guī)格I_unit＝1A時(shí)，探
針針徑為d＝100±5um；
3)根據(jù)待測(cè)產(chǎn)品的測(cè)試電流，測(cè)試電壓，確定柵區(qū)探針的數(shù)量N_gate和源區(qū)探針的數(shù)量
N_source；
N_gate值根據(jù)柵區(qū)的尺寸、探針之間距離以及探針與被探測(cè)區(qū)邊緣的距離確定，N_gate小于
等于2；
N_source＝A+B+C；
A是源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量，I_max/I_unit＝A，I_max是被測(cè)產(chǎn)品的最大測(cè)試電流，
I_unit是探針材料的電流規(guī)格；
B是余量探針數(shù)量,當(dāng)I_unit的規(guī)格為500mA時(shí)，余量探針數(shù)為2；當(dāng)I_unit的規(guī)格為1A時(shí)，余
量探針數(shù)為1；
C是感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量；
如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A小于等于2，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量C為1；
如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A大于2小于等于8，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量C
為2；
如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A大于8小于等于20，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量
C為4；
柵區(qū)探針的數(shù)量N_gate采用以下方式確定：
條件1)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的水平方向的距離小于水平方向所有探針的內(nèi)徑和以及針
與針的間距和兩個(gè)邊界值的總和；
條件2)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的垂直方向的距離小于垂直方向所有針的內(nèi)徑和以及針與
針的間距和左右兩個(gè)邊界值的總和；
條件3)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的對(duì)角線方向的距離小于對(duì)角線方向所有針的內(nèi)徑和以及
針與針的間距和兩個(gè)邊界值的總和；
如果上述條件1)～3)同時(shí)滿足，則N_gate值需為1，否則N_gate值需為2。
2.一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針位置設(shè)計(jì)方法，包括權(quán)利要求1所述方法的各步驟，其特征
是，還包括以下步驟：
以下各步驟所有坐標(biāo)均為同一坐標(biāo)系下建立；
4)如果源區(qū)和柵區(qū)為方形，獲取源區(qū)和柵區(qū)對(duì)角四點(diǎn)的坐標(biāo)以及N_gate和N_source值，將
N_source值分解因式得到X軸向探針數(shù)量X_source值和Y軸向探針數(shù)量Y_source值；
柵區(qū)的坐標(biāo)獲取方法及柵區(qū)探針位置確定采用以下方式：
條件1)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的水平方向的距離小于水平方向所有探針的內(nèi)徑和以及針
與針的間距和兩個(gè)邊界值的總和，A點(diǎn)、B點(diǎn)為柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)；
條件2)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的垂直方向的距離小于垂直方向所有針的內(nèi)徑和以及針與
針的間距和左右兩個(gè)邊界值的總和；
條件3)柵區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間的對(duì)角線方向的距離小于對(duì)角線方向所有針的內(nèi)徑和以及
針與針的間距和兩個(gè)邊界值的總和；
如果上述條件1)～3)同時(shí)滿足，則N_gate值需為1，柵區(qū)的探針位置即為柵區(qū)中心點(diǎn)；
如果條件1)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)垂直邊的中點(diǎn)處沿水平方向?qū)艆^(qū)
三等分，第一等分點(diǎn)為第一點(diǎn)坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二坐標(biāo)；
如果條件2)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)水平邊的中點(diǎn)處沿垂直方向?qū)艆^(qū)
三等分，第一等分點(diǎn)為第一探針的坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二探針的坐標(biāo)；
如果條件3)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)沿對(duì)角線方向?qū)艆^(qū)三等分，第一等
分點(diǎn)為第一探針的坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二探針的坐標(biāo)；
源區(qū)的坐標(biāo)獲取方法及源區(qū)探針位置確定采用以下方式：
條件4)源區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間垂直方向的距離大于Y_source根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距
和左右兩個(gè)邊界值的總和；
條件5)源區(qū)兩對(duì)角點(diǎn)之間水平方向的距離大于X_source根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距
和左右兩個(gè)邊界值的總和；
如果滿足條件4)和5)條件，則將源區(qū)水平方向做X_source+1等分，垂直方向做Y_source+1等
分，垂直方向和水平方向的等分線相交的點(diǎn)即為源區(qū)探針?biāo)谖恢茫?br/>如果同時(shí)不滿足條件4)和5)，則X_source＝X_source-1，Y_source＝Y(jié)_source-1,將運(yùn)算后的X_source
和Y_source的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；
如果不滿足條件4)，滿足條件5)，則Y_source＝Y(jié)_source-1，X_source不變，將運(yùn)算后的X_source和
Y_source的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；
如果滿足條件4)，不滿足條件5)，則X_source＝X_source-1，Y_source不變，將運(yùn)算后的X_source和
Y_source的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；
5)如果源區(qū)和柵區(qū)為圓形：
柵區(qū)為圓形，輸入柵區(qū)中心點(diǎn)的坐標(biāo)，以及柵區(qū)半徑，結(jié)合N_gate，首先判定條件6)；
條件6)圓形區(qū)域直徑是否小于最小的尺寸要求，即柵區(qū)內(nèi)徑尺寸僅夠一根針的情況，
如果滿足，則報(bào)出錯(cuò)信息，無法支持探針布局設(shè)計(jì)；
如果條件6)不滿足，則判定條件7)柵區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于N_gate根探針內(nèi)徑和以及
針與針的間距和左右兩個(gè)邊界值的總和；
如果條件7)滿足，則報(bào)出錯(cuò)信息，N_gate值為1，此時(shí)柵區(qū)的探針位置即為柵區(qū)圓心位置；
如果條件7)不滿足，沿柵區(qū)圓直徑的垂直方向或者水平方向?qū)?nèi)徑做N_gate+1等分，第一
等分點(diǎn)為第一根探針的坐標(biāo)位置，第二等分點(diǎn)為第二根探針的坐標(biāo)位置；
源區(qū)形狀為圓形，輸入源區(qū)中心點(diǎn)的坐標(biāo)，以及源區(qū)半徑，結(jié)合N_source值首先判定條件
條件8)；
條件8)源區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于最小的尺寸要求，即源區(qū)內(nèi)徑尺寸僅夠一根針的情
況，如果滿足，則報(bào)出錯(cuò)信息，無法支持探針布局設(shè)計(jì)；
如果條件8)不滿足，則判定條件9)源區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于N_source根探針內(nèi)徑和以
及針與針的間距和左右兩個(gè)邊界值的總和；
如果條件8)滿足，則報(bào)出錯(cuò)信息，N_source值調(diào)整為N_source-1，重新判定條件8)，如果條件
8)不滿足，則說明源區(qū)可以支持N_source根針的布局方案，沿源區(qū)圓直徑的垂直方向或者水平
方向?qū)?nèi)直徑做N_source+1等分，第一等分點(diǎn)為第一根探針的坐標(biāo)位置，第二等分點(diǎn)為第二根
探針的坐標(biāo)位置，依此類推，直至完成N_source根探針的布局。
3.一種MOSFET被探測(cè)區(qū)探針卡生成方法，包括權(quán)利要求2的所有步驟，其特征是，還包
括以下步驟：
6)利用VB宏語(yǔ)言的圖表功能生成探針坐標(biāo)版圖。