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納米探針的制備方法

  • 專利類型:發(fā)明專利
  • 有效期:不限
  • 發(fā)布日期:2022-01-05
  • 技術成熟度:通過小試
交易價格: ¥面議
  • 法律狀態(tài)核實
  • 簽署交易協(xié)議
  • 代辦官方過戶
  • 交易成功

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  • 技術(專利)類型 發(fā)明專利
  • 申請?zhí)?專利號 CN201310278173.5 
  • 技術(專利)名稱 納米探針的制備方法 
  • 項目單位 首都師范大學
  • 發(fā)明人 張利勝,方炎,王培杰,李志鵬 
  • 行業(yè)類別
  • 技術成熟度 通過小試
  • 交易價格 ¥面議
  • 聯(lián)系人 蔣璐
  • 發(fā)布時間 2022-01-05  
  • 01

    項目簡介

    本申請?zhí)峁┮环N納米探針的制備方法,包括:步驟(1),對硅基或者碳化硅基探針進行表面清潔處理,并在除針尖之外的部分設置遮擋;步驟(2),在所述硅基或者碳化硅基探針表面通過真空蒸發(fā)鍍膜技術蒸鍍或者通過磁控濺射技術濺射納米粒度的貴金屬薄膜、貴金屬合金薄膜或者貴金屬疊層,并去除所述遮擋;步驟(3),在針尖上增強拉曼光譜TERS設備上應用制得的納米探針進行TERS實驗,根據(jù)實驗結果統(tǒng)計所述納米探針的增強性質(zhì)與制備工藝參數(shù)的對應關系;步驟(4),根據(jù)所述對應關系調(diào)整所述制備工藝參數(shù),重復步驟(1)-(4),直到得到滿足預設增強條件的納米探針。
    展開
  • 02

    說明書

    1.一種納米探針的制備方法,其特征在于,包括:
    步驟(1),對硅基或者碳化硅基探針進行表面清潔處理,并在
    除針尖之外的部分設置遮擋;
    步驟(2),在所述硅基或者碳化硅基探針表面通過真空蒸發(fā)鍍
    膜技術蒸鍍或者通過磁控濺射技術濺射納米粒度的貴金屬薄膜、貴金
    屬合金薄膜或者貴金屬疊層,并去除所述遮擋;
    步驟(3),在針尖上增強拉曼光譜TERS設備上應用制得的納
    米探針進行TERS實驗,根據(jù)實驗結果統(tǒng)計所述納米探針的增強性質(zhì)
    與制備工藝參數(shù)的對應關系;
    步驟(4),根據(jù)所述對應關系調(diào)整所述制備工藝參數(shù),重復步
    驟(1)-(4),直到得到滿足預設增強條件的納米探針。
    2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在除針尖之外的部
    分設置遮擋包括:在所述除針尖之外的部分涂覆蠟層、聚乙烯有機涂
    層或者粘貼遮擋層。
    3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過真空蒸發(fā)
    鍍膜技術蒸鍍或者通過磁控濺射技術濺射納米粒度的貴金屬合金薄膜
    包括:
    設置摩爾比例為1:1至1:3的金銀靶材,使用所述金銀靶材設置
    所述貴金屬合金薄膜。
    4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過真空蒸發(fā)
    鍍膜技術蒸鍍或者通過磁控濺射技術濺射納米粒度的貴金屬疊層包
    括:
    同時設置兩個以上貴金屬靶材,交替使用所述兩個以上貴金屬靶
    材進行蒸鍍或濺射得到貴金屬疊層。
    5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述兩個以上貴金
    屬靶材包括金和銀靶材,按照銀、金、銀靶材的順序進行蒸鍍或濺射
    得到銀-金-銀疊層。
    6.如權利要求1-5任一項所述的方法,其特征在于,步驟(2)
    之前還包括:
    在所述硅基或者碳化硅基探針與貴金屬靶材之間設置貴金屬網(wǎng),
    越靠近針尖的位置所述貴金屬網(wǎng)的網(wǎng)孔的密度越小。
    7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,所述貴金屬網(wǎng)包括
    與所述硅基或者碳化硅基探針的針尖成比例放大的結構,所述硅基或
    者碳化硅基探針的針尖容納在所述貴金屬網(wǎng)內(nèi)。
    8.如權利要求1-5任一項所述的方法,其特征在于,步驟(2)
    之前還包括:加熱所述硅基或者碳化硅基探針。
    9.如權利要求1-5任一項所述的方法,其特征在于,步驟(1)
    包括:使用有機溶劑洗滌所述硅基或者碳化硅基探針表面,或者使用
    砂紙打磨所述硅基或者碳化硅基探針表面;或者分別使用去離子水-
    無水乙醇-丙酮-無水乙醇-去離子水對所述硅基或者碳化硅基探針表面
    超聲清洗五分鐘,然后對清洗后的所述硅基或者碳化硅基探針進行真
    空干燥處理。
    展開

專利技術附圖

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