本發明公開了一種微探針陣列，包括設有深孔的基板、位于基板上方的金屬探針陣列以及位于基板下方的背面引線；基板上、下表層以及深孔的側壁設有絕緣介質層，深孔內設有連接所述背面引線的金屬連接件；所述金屬探針陣列包括一組金屬探針，所述金屬探針兩端與基板連接，中部為懸空的懸臂平臺，懸臂平臺上設有針尖，所述金屬探針的一端連接所述金屬連接件。本發明還公開了所述微探針陣列的制作方法。本發明具有很好的適應性、能夠滿足很多具有不規則引線焊盤的芯片測試需要。不僅如此，上述探針還具有很好的機械性能、電學性能，及優良的耐久性能；該微探針結構具有微小的尺寸，且易于規模化制作。

1.一種微探針陣列的制作方法，其特征是該方法包括以下步驟:步驟1，將上下兩片硅片鍵合在一起形成SOI結構，兩片硅片中間設有絕緣介質層；步驟2，在下層硅片上刻蝕出直達中間絕緣介質層的深孔，在上層硅片上刻蝕出與針尖高度相同深度的深槽；步驟3，在上層硅片上表面和下層硅片下表面制作絕緣介質層，其中下層硅片的深孔的側壁上制作絕緣介質，上層硅片的深槽內填充滿絕緣介質；步驟4，在下層硅片的深孔內填充金屬形成金屬連接件；步驟5，根據所述深槽位置，對上層硅片表面進行第一次光刻并進行第一次硅的各向異性刻蝕以形成針尖狀臺階；步驟6，進行第二次光刻及第二次的硅的各向異性刻蝕直到中間的絕緣介質層，以形成梯形臺階；步驟7，對上層硅片的表面濺射金屬，之后光刻掉多余部分金屬形成微探針結構；步驟8，對下層硅片的表面進行金屬淀積并光刻掉多余部分金屬形成背面引線；步驟9，刻蝕掉中間的絕緣介質層以上的所有上層硅片以及深槽內的絕緣介質，從而釋放所有微探針結構構成微探針陣列；步驟10，對微探針陣列進行退火處理。