一種燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，包括MCU，MCU的IO口包括P0口、P1口、P2口、P3口且MCU具有定時(shí)/計(jì)數(shù)功能，還包括定值電容C1、電阻R1、定值電阻R2、第一連接器、第二連接器，定值電容C1的一端與P0口電聯(lián)接，另一端同時(shí)與P1口、定值電阻R2的一端、第二連接器電聯(lián)接，定值電阻R2的另一端與P2口電聯(lián)接，電阻R1一端與P3口電聯(lián)接，另一端與第一連接器電聯(lián)接，第一連接器的輸出接口與火焰探針或燃燒器電聯(lián)接，第二連接器的輸出接口與燃燒器或火焰探針電聯(lián)接該電路的檢測方法包括MCU初始化、對定值電容C1不斷充放電等步驟，可以精確地檢測火焰等效阻抗，排除環(huán)境參數(shù)對檢測精度的影響。

1.一種燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，包括MCU，MCU的IO口包括P0口、P1口、P2口、P3
口，且MCU具有定時(shí)/計(jì)數(shù)功能，其特征在于還包括定值電容C1、電阻R1、定值電阻R2、第一連
接器（1）、第二連接器（2），定值電容C1的一端與P0口電聯(lián)接，另一端同時(shí)與P1口、定值電阻
R2的一端、第二連接器（2）電聯(lián)接，定值電阻R2的另一端與P2口電聯(lián)接，電阻R1一端與P3口
電聯(lián)接，另一端與第一連接器（1）電聯(lián)接，第一連接器（1）的輸出接口與火焰探針電聯(lián)接，第
二連接器（2）的輸出接口與燃燒器電聯(lián)接或第一連接器（1）的輸出接口與燃燒器電聯(lián)接，第
二連接器（2）的輸出接口與火焰探針電聯(lián)接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，其特征在于所述的P0口、P1
口、P2口、P3口均可設(shè)置為輸入高電阻、輸出低電平、輸出高電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，其特征在于所述的MCU通過內(nèi)
部定時(shí)/計(jì)數(shù)器或通用寄存器計(jì)數(shù)，計(jì)數(shù)時(shí)間小于1us。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，其特征在于所述的定值電容
C1為無極性電容，容量為100pF～1 uF。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路，其特征在于所述的定值電阻
R2為高精度電阻，阻值為10KΩ～10MΩ。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述燃?xì)饩呋鹧骐x子電流檢測電路的檢測方法，其特
征在于包括如下步驟：
（1）MCU初始化，設(shè)置定時(shí)/計(jì)數(shù)器為對內(nèi)部時(shí)鐘計(jì)數(shù)；
（2）設(shè)置P0口、P1口輸出低電平，定值電容C1放電，定時(shí)/計(jì)數(shù)器清零；
（3）設(shè)置P1口、P3口為輸入高電阻狀態(tài)，P2輸出高電平，并同時(shí)啟動(dòng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)，
當(dāng)定值電容C1充電電壓達(dá)到高電平閾值Vth時(shí)， P1口為高電平，停止計(jì)數(shù)，得到定時(shí)/計(jì)數(shù)
器值為Tr，并存儲(chǔ)于指定的寄存器中，Vdd為電源電壓，
Tr= -R2*C1*ln(1 - Vth/Vdd)…… ①，
（4） 重復(fù)（2）；
（5）設(shè)置P1口、P2口為輸入高電阻狀態(tài)，P3口輸出高電平，并同時(shí)啟動(dòng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器計(jì)
數(shù)，當(dāng)定值電容C1充電電壓達(dá)到高電平閾值Vth時(shí)，P1口為高電平，立刻停止計(jì)數(shù)，得到定
時(shí)/計(jì)數(shù)器值為Tf,并存儲(chǔ)于指定的寄存器中，
Tf= -Rf*C1*ln(1 - Vth/Vdd)……②，
其中Rf 為火焰正向等效內(nèi)阻，
比較①②式可以得到 Rf = R2*Tf/Tr……③；
（6）設(shè)置P0口輸出低電平，P1口輸出高電平，定值電容C1充電，定時(shí)/計(jì)數(shù)器清零；
（7）設(shè)置P1口、P3口為輸入高電阻狀態(tài)， P2口輸出低電平，并同時(shí)啟動(dòng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器計(jì)
數(shù)，當(dāng)C1放電電壓達(dá)到低電平閾值Vtl時(shí)，P1為低電平，立刻停止計(jì)數(shù)，得到定時(shí)/計(jì)數(shù)器值
為Tc，并存儲(chǔ)于指定的寄存器中，
放電時(shí)間Tc = -R2*C1*ln(Vtl/Vdd)……④，
（8）重復(fù)（6）；
（9）設(shè)置P1口、P2口為輸入高電阻狀態(tài)， P3口輸出低電平，并同時(shí)啟動(dòng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器計(jì)
數(shù)，當(dāng)C1放電電壓達(dá)到低電平閾值Vtl時(shí)， P1口為低電平，立刻停止計(jì)數(shù)，得到定時(shí)/計(jì)數(shù)器
值為Tfc，并存儲(chǔ)于指定的寄存器中，
放電時(shí)間: Tfc = - Ri2*C1*ln(Vtl/Vdd)……⑤，
其中Ri2 為火焰正向并聯(lián)等效內(nèi)阻，比較④⑤式可以得到
Ri2 = R2*Tfc/Tc……⑥；
（10）比較③⑥式可以得到：Ri1≈ Rf*Ri2/（Rf+Ri2），其中Ri1為火焰離子單向等效阻
抗。