本申請公開了一種臺階高度校準模板、其制作方法及校準方法。該校準模板包括基體，設置于基體上的臺階結構，以及設置于臺階結構的至少一個側壁上的保護層，且保護層的高度與臺階結構的高度相同，保護層的硬度大于臺階結構的硬度。采用該臺階高度校準模板對臺階測量裝置進行校準的過程中，臺階測量裝置中的探針會作用于臺階結構上，并會對臺階結構產生作用力，而保護層的存在可以提供給臺階結構支持力，并且高硬度的保護層還可以抵抗探針對它本身的作用力，減少臺階測量裝置對臺階結構頂角的損傷，從而減少了臺階結構的變形，提高了半導體器件中的臺階高度測試結果的精確度。

1.一種臺階高度校準模板，其特征在于，所述臺階高度校準模板包括：
基體；
臺階結構，設置于所述基體上；
保護層，設置于所述臺階結構的至少一個側壁上，所述保護層的高度與所述臺階結構
的高度相同，且所述保護層的硬度大于所述臺階結構的硬度，
所述保護層的材料選自TiN、AlN、Si₃N₄或SiC中的任一種或多種。
2.根據權利要求1所述的臺階高度校準模板，其特征在于，所述保護層設置于各所述臺
階結構的相對設置的兩個側壁上。
3.根據權利要求1所述的臺階高度校準模板，其特征在于，所述保護層設置于各所述臺
階結構的四周側壁上。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的臺階高度校準模板，其特征在于，位于所述臺階
結構的一側的所述保護層的寬度與所述臺階結構的寬度之比為1/6～1/2。
5.根據權利要求4所述的臺階高度校準模板，其特征在于，位于所述臺階結構的不同側
壁上的所述保護層的寬度相同或者不同。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的臺階高度校準模板，其特征在于，所述基體為硅
片，所述臺階結構的材料為SiO₂或SiON。
7.根據權利要求1至3所述的臺階高度校準模板，其特征在于，所述臺階結構的高度為
10nm～10μm。
8.一種臺階高度校準模板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：
提供基體；
在所述基體上形成臺階結構；
在所述臺階結構的至少一個側壁上形成保護層，所述保護層的高度與所述臺階結構的
高度相同，且硬度大于所述臺階結構的硬度，所述保護層的材料選自TiN、AlN、Si₃N₄或SiC中
的任一種或多種。
9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述保護層的步驟包括：
形成覆蓋所述基體和所述臺階結構的預備保護層；
去除位于所述臺階結構的上表面的所述預備保護層，以及位于所述基體上的部分所述
預備保護層，以形成所述保護層。
10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述預備保護層的工藝為化學
氣相沉積；去除所述預備保護層的工藝為干法刻蝕。
11.一種臺階高度校準模板的校準方法，其特征在于，所述校準方法包括以下步驟：
提供權利要求1至7中任一項所述的臺階高度校準模板；
將所述臺階高度校準模板中的臺階結構的高度記為H₁；
臺階測量裝置測量所述臺階結構的實際高度記為H₂；
根據H₂與H₁之間的差值對所述臺階測量裝置進行校準。
12.根據權利要求11所述的校準方法，其特征在于，所述臺階測量裝置為壓力接觸式臺
階儀或接觸式原子力顯微鏡。