本發明公開了一種鍵合線S參數測試提取方法,其特征在于：包括如下步驟：第一、制作PCB板一和PCB板二；所述PCB板一上設置有50Ω傳輸線一；所述PCB板二上設置有50Ω傳輸線二和地線，在50Ω傳輸線二的右端附近放置被測器件；采用鍵合工藝用鍵合線將被測器件的射頻輸出端與50Ω傳輸線二的右端連接，分別用鍵合線二、三將射頻輸出端兩旁的接地端與PCB板二的地線連接；第二、校準微波探針測試系統：利用校準基片和矢量網絡分析儀對微波探針測試臺進行校準；第三、測試S參數；第四、將測試點轉換為面單元結構：第五、得到鍵合線的S參數，第六、測試驗證；本發明測試結果真實可靠，消除了鍵合線寄生參數影響，可應用到RFIC性能測試中。

1.一種鍵合線S參數測試提取方法,其特征在于：包括如下步驟：
第一、制作PCB板一和PCB板二；所述PCB板一上設置有50Ω傳輸線一；所述PCB板二上設
置有50Ω傳輸線二和地線，在50Ω傳輸線二的右端附近放置被測器件；采用鍵合工藝用鍵
合線將被測器件的射頻輸出端與50Ω傳輸線二的右端連接，分別用鍵合線二、三將射頻輸
出端兩旁的接地端與PCB板二的地線連接；
第二、校準微波探針測試系統：利用校準基片和矢量網絡分析儀對微波探針測試臺進
行校準；
第三、測試S參數：
將PCB板二以抽真空方式吸附在微波探針臺上，用微波探針測試臺測試已連接鍵合線
的射頻輸出端的S參數；
分別測試50Ω傳輸線一的左、右兩端的S參數；
第四、將測試點轉換為面單元結構：
在50Ω傳輸線二的左端取端口測試點三(C)，在50Ω傳輸線一的左端取端口測試點一
(A)，將端口測試點一(A)和端口測試點三(C)設置為同一垂直平面上的參考點，其所在的平
面為測試參考平面；
在50Ω傳輸線二的右端取端口測試點四(E)，該端口測試點四(E)為被測器件的射頻輸
出端與50Ω傳輸線二的鍵合點，在50Ω傳輸線一的右端取端口測試點二(B)，端口測試點二
(B)和端口測試點四(E)為同一垂直平面上的點，其所在的平面為測試平面一；
再在被測器件上取測試點五(D)，該測試點五(D)為被測器件的射頻輸出端與50Ω傳輸
線二的鍵合點，測試點五(D)所在的平面為測試平面二，測試平面二與測試平面一平行；
第五、得到鍵合線的S參數

其中，S_11Δ為端口測試點四的反射系數，S_22Δ為測試點五的反射系數，S_12Δ為測試點五到
端口測試點四的反向傳輸系數，S_21Δ為端口測試點四到測試點五的正向傳輸系數；S_11A為端
口測試點一的反射系數，S_22A為端口測試點二的反射系數，S_12A為端口測試點二到端口測試
點一的反向傳輸系數，S_21A為端口測試點一到端口測試點二的正向傳輸系數；S_11B為端口測
試點三的反射系數，S_22B為測試點五的反射系數，S_12B為測試點五到端口測試點三的反向傳
輸系數，S_21B為端口測試點三到測試點五的正向傳輸系數；
第六、測試驗證
將PCB板二連接到矢量網絡分析儀進行測試，在整理測試數據時：
如果PCB板二上的被測器件為接收機，將端口測試點四到測試點五的正向傳輸系數S_21Δ
代入到測試數據中，對PCB板二的正向傳輸系數進行計算補償，得到PCB板二上被測器件的
實際增益或衰減P；計算公式為：
P＝P_T21-(S_21Δ/2)
其中，P_T21為PCB板二用矢量網絡分析儀測得的PCB板二的正向傳輸系數值，S_21Δ為端口
測試點四到測試點五的正向傳輸系數；
如果PCB板二上的被測器件為發射機，將測試點五到端口測試點四的反向傳輸系數S_12Δ
代入到測試數據中，對PCB板二的反向傳輸系數進行計算補償，得到PCB板二上被測器件的
實際增益或衰減P；計算公式如公式：
P＝P_T12-(S_12Δ/2)
其中，P_T12為PCB板二用矢量網絡分析儀測得的PCB板二的反向傳輸系數值，S_12Δ為測試
點五到端口測試點四的反向傳輸系數。