本發明公布了一種增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法。具體步驟是：（1）檢查器件外觀，獲取表面完好的器件；（2）“兩線法”測量器件閾值電壓；（3）判定是否存在其它損壞，去除內部存在其它損壞的器件；（4）“三線法”測量器件閾值電壓；（5）判定柵內引線是否脫落。本發明采用“兩線法”和“三線法”，對增強型功率MOS器件的閾值電壓進行測量，根據測量結果，判定增強型功率MOS器件柵內引線是否脫落。本發明具有操作簡便，測量耗時短、成本低、效率高的優點。

1.一種增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法,包括以下步驟：
(1)檢查器件外觀：
檢查待測增強型功率MOS器件的外觀，觀察該增強型功率MOS器件表面
是否存在物理性損壞，去除表面存在物理性損壞的增強型功率MOS器件，獲得
表面完好的增強型功率MOS器件；
(2)“兩線法”測量器件閾值電壓：
對表面完好的增強型功率MOS器件，采用“兩線法”，測量該待測增強型
功率MOS器件的閾值電壓；
所述的“兩線法”是指，將待測增強型功率MOS器件的源極接地，柵極和
漏極接電源，將源漏電流的絕對值達到250uA時測得的電源電壓，作為該待測
增強型功率MOS器件的閾值電壓；
(3)判定是否存在其它損壞：
如果“兩線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該
增強型功率MOS器件內部存在其它損壞，去除內部存在其它損壞的增強型功率
MOS器件；如果“兩線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則執
行步驟(4)；
(4)“三線法”測量器件閾值電壓：
對“兩線法”測出閾值電壓的增強型功率MOS器件，采用“三線法”，測
量該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓；
所述的“三線法”是指，將待測增強型功率MOS器件源極接地，漏極固定
10mV電壓，柵極接電源，將源漏電流的絕對值達到250uA時測得的電源電壓，
作為該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓；
(5)判定柵內引線是否脫落：
如果“三線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該待
測增強型功率MOS器件柵內引線正常；如果“三線法”未測出該待測增強型功
率MOS器件的閾值電壓，則判定該待測增強型功率MOS器件柵內引線脫落。
2.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，
其特征在于，步驟(3)中所述的“兩線法”未測出該待測增強型功率MOS器
件的閾值電壓是指，在該增強型功率MOS器件允許的柵極電壓范圍內，采用“兩
線法”測量該器件的閾值電壓時，源漏電流的絕對值始終小于250uA。
3.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，
其特征在于，步驟(5)中所述的“三線法”未測出該待測增強型功率MOS器
件的閾值電壓是指，在該增強型功率MOS器件允許的柵極電壓范圍內，采用“三
線法”測量該器件的閾值電壓時，源漏電流的絕對值始終小于250uA。